袁清红，女，研究员，现任华东师范大学物理系副教授。

 教育及工作经历： 

2015/08–现在 华东师范大学紫江青年学者，研究员。

2012/08–2015/07 华东师范大学副教授。

2010/02–2012/07 香港理工大学博士后。

2005/08–2010/01 香港中文大学哲学博士。

2002/09–2005/07 厦门大学理学硕士。

1998/09–2002/07 湖南师范大学理学学士

学术兼职：

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研究方向：

多年来一直从事新型纳米材料以及固体表面催化的理论研究，在二维材料生长，结构，性质以及固体表面催化机制方面具有较好的研究基础。 理论研究工作受到国内外同行的广泛关注，被国外媒体网站广泛报导及著名期刊Science, PNAS等引用。

一.新型纳米材料结构，性质及生长机制

1. 碳纳米管CVD生长机制及缺陷消除

我们通过理论计算提出碳纳米管生长的决速步是碳原子从金属催化剂表面加入到碳纳米管并成为碳管一部分的过程。通过考察Armchair型碳纳米管在Fe，Co，Ni这三种催化剂表面的生长速度，我们发现Fe是碳纳米管高速生长的优良催化剂。在1300K的温度下，Armchair型碳纳米管在Fe催化剂表面的生长速度可达到10⁶ nm/s，这与目前绝大部分的实验结果一致。

与Armchair碳纳米管不同，Zigzag碳纳米管的每一环碳原子的生长都需要经历一个成核过程，因此其生长速度大大低于Armchair及其它类型的手性碳纳米管。生长温度在1000K左右时，Zigzag碳纳米管在Fe，Co，Ni催化剂表面的生长速度分别为Armchair碳纳米管的10^-3，10^-4，10^-5。此外，Zigzag碳纳米管的生长速度还与其管径大小密切相关。

碳纳米管的电子性质与其手性有很大关系，生长过程中保持特定的手性对实现其在电子器件领域的应用具有非常重要的意义。基于理论分析和计算，我们提出碳纳米管生长过程中最有可能的拓扑缺陷是五元环和七元环成对的缺陷（五/七缺陷对），一定温度下，碳纳米管中的五/七缺陷对浓度可低至10^-11，即cm长度的碳管内没有任何缺陷。该研究结果发表在Phys. Rev. Lett. 108, 245505, 2012，图3b。已被Science, PNAS等多个著名杂志引用，并引起了包括美国自然科学基金网等众多国外媒体网站的关注和报导。

2. 石墨烯性质及CVD生长机制

我们的理论计算表明，可将石墨烯纳米带直立金刚石衬底上，并且石墨烯纳米带在金刚石衬底上发生直立后仍然能保持其原来的电子性质。由于单个石墨烯阵列之间的间距可以窄到~1nm，因此可利用石墨烯阵列来制作高密度电子器件，用该办法合成出来的场致发射器的电子密度理论上可达到10¹³cm^-2。这一研究结果发表在化学类顶尖杂志J. Am. Chem. Soc. 133, 16072, 2011。并引起国际同行及媒体的广泛关注，有超过50家国外媒体和网站对该研究结果进行了报导。

石墨烯生长过程中存在一个含有三个五元环的C₂₁幻数结构，其存在的主要原因是由于其结构的高对称性，以及边缘C原子与金属衬底的强相互作用。这一发现合理地解释了石墨烯成核早期实验上所观测到的在金属表面大小均匀的碳原子幻数团簇。研究成果发表在J. Am. Chem. Soc. 134, 2970, 2012。

我们基于理论计算结果预测，根据金属催化剂衬底的性质不同，石墨烯在其表面生长所采取的生长模式也不一样，分别有平台生长（on-terrace growth），台阶生长(step-derived growth)以及嵌入生长(self-embedded growth)三种可能的模式。生长模式的不同会导致石墨烯生长取向的不一样。这一预测结果已被韩国著名实验小组证实。  

 二. 固体表面催化

1. 铝团簇表面小分子催化

结合密度泛函理论，高精度的后自洽场计算方法以及从头算的分子动力学方法，我们对金属及半导体表面化学催化进行了探讨。发现某些金属纳米团簇的表面与大块金属表面具有类似的表面性质及相似的催化机制。首次提出DFT计算在处理小分子与金属铝表面的化学吸附时，由于存在自相互作用误差(SIE)而大大低估了反应的势垒，解释了长期以来关于铝金属表面小分子理论计算和实验得出不一致结论的根本原因。  

2. Si(100)表面氢脱附及重构 

承担科研项目情况：

1、国家自然科学基金青年项目一项,25万。 

2、中科院信息功能国家重点实验室开放课题一项,10万。

3、上海市“浦江人才计划”,20万。

科研成果：

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已发表SCI论文25篇，大部分发表在高水平的期刊杂志上，如物理类顶尖期刊Phys. Rev. Lett.，化学类顶尖期刊J. Am. Chem. Soc.，Angew. Chem. Int. Ed.，ACS Nano，材料类顶尖期刊Adv. Mater.，Adv. Funct. Mater.，以及Nature Commun.等。

发表英文论文：

2015

1. Gang Wang, Miao Zhang, Su Liu, Xiaoming Xie, Guqiao Ding, Yongqiang Wang, Paul K. Chu, Heng Gao, Wei Ren, Qinghong Yuan,* Peihong Zhang, Xi Wang and Zengfeng Di,* “Synthesis of Layer-Tunable Graphene: A Combined Kinetic Implantation and Thermal Ejection Approach”, Adv. Funct. Mater., 25, 3666-3675, 2015.

2. Qinghong Yuan,* Feng Ding,* “How a Zigzag Carbon Nanotube Grows” Angew. Chem. Int. Edit, 54, 6068, 2015. 2015.

3. Guangyuan Lu, Tianru Wu, Qinghong Yuan, Huishan Wang , Haomin Wang, Feng Ding, Xiaoming Xie,* Mianheng Jiang, “Synthesis of large single-crystal hexagonal boron nitride grains on Cu-Ni alloy” Nat. Commun., doi: 10.1038/ncomms7160, 2015.

2014

4. Van Luan Nguyen , Bong Gyu Shin , Dinh Loc Duong , Sung Tae Kim , David Perello ,Young Jin Lim , Qing-Hong Yuan , Feng Ding , Hu Young Jeong , Hyeon Suk Shin, Seung Mi Lee , Sang Hoon Chae , Quoc An Vu , Seung Hee Lee , and Young Hee Lee,* “Seamless Stitching of Graphene Domains on Polished Copper (111) Foil” Adv. Mater. 27(8), 1376-1382, 2014.

5. Qinghong Yuan, Feng Ding,* “Formation of Carbyne and Graphyne on Transition Metal Surfaces” Nanoscale, 6(21), 12727-12731, 2014.

6. Qinghong Yuan, Boris I. Yakobson,* and Feng Ding,* “Edge-Catalyst Wetting and Orientation Control of Graphene Growth by Chemical Vapor Deposition Growth”, J. Phys. Chem. Lett. 5(18), 3093−3099, 2014.

7. Qinghong Yuan,* Guangyao Song, Deyan Sun, Feng Ding,* "Formation of Graphene Grain Boundaries on Cu(100) Surface and a Route Towards Their Elimination in Chemical Vapor Deposition Growth", Sci. Rep., 4, 6541, 2014.

8. Xian-Zhi Yao, Zheng Guo, Qing-Hong Yuan, Zhong-Gang Liu, Jin-Huai Liu, and Xing-Jiu Huang,* “Exploiting Differential Electrochemical Stripping Behaviors of Fe3O4 Nanocrystals toward Heavy Metal Ions by Crystal Cutting”, ACS Appl. Mater. Interfaces, 6(15), 12203–12213, 2014.

2013

9. WenqianWu, YangYang, Qinghong Yuan, Deyan Sun,* “The collapse of an elastic tube induced by encapsulated liquid droplets”, SOFT MATTER, 9(41), 9774-9779, 2013.

10. Haixin Chang, Zhenhua Sun, Mitsuhiro Saito, Qinghong Yuan, Han Zhang, et. al. “Regulating Infrared Photoresponses in Reduced Graphene Oxide Phototransistors by Defect and Atomic Structure Control”, ACS NANO, 7(7), 6310-6320, 2013.

11. Qinghong Yuan, Li Li, Qianshu Li, Feng Ding,* “The Effect of Metal Impurities on the Tensile Strength of Carbon Nanotubes: A Theoretical Study”, J. Phys. Chem. C,117(10), 5470–5474, 2013.

2012

12. Qinghong Yuan, ZhipingXu, Boris Yakobson, Feng Ding,* “Efficient Defect Healing in Catalytic Carbon Nanotube Growth”,Phys. Rev. Lett., 108 (24), 245505, 2012.

13. Qinghong Yuan, Zhifeng Liu,* “Reply to the ‘Comment on “Dynamic factors in the reactions between the magic cluster Al13- and HCl/HI”: A wavefunction instability problem.”, Phys. Chem. Chem. Phys., 14 (18), 6641-6642, 2012.

14. Qinghong Yuan, Junfeng Gao, Haibo Shu, Jijun Zhao,* Xiaoshuang Chen,* Feng Ding,* “Magic Carbon Clusters in the Chemical Vapor Deposition (CVD) Growth of Graphene”, J. Am. Chem. Soc., 134 (6), 2970-2975, 2012.

2011

15. Qinghong Yuan, Hong Hu, Feng Ding,* “Threshold Barrier of Carbon Nanotube Growth”, Phys. Rev. Lett., 107(15), 156101, 2011.

16. Qinghong Yuan, Hong Hu, Junfeng Gao, Feng Ding,* Zhifeng Liu, Boris Yakobson,* “Upright Standing Graphene Formation on Substrates ”, J. Am. Chem. Soc., 133 (40), 16072-16079, 2011.

17. Junfeng Gao, Qinghong Yuan, Hung Hu, Jijun Zhao, Feng Ding,* “Formation of Carbon Clusters in the Initial Stage of Chemical Vapor Deposition Graphene Growth on Ni(111) Surface”, J. Phys. Chem. C, 115(36), 17695-17703, 2011. (co-first author)

18. Qinghong Yuan, Jiabo. Li, and Zhi-feng Liu,* “Dynamic factors in the reaction between the magic cluster Al13- and HCl/HI” Phys. Chem. Chem. Phys., 13(20), 9871-9879, 2011.

19. Jinlan Wang, Liang Ma, Qinghong Yuan, Liyan Zhu, and Feng Ding,* “Transition Metal Catalyzed Unzipping Single-Walled Carbon Nanotubes into Narrow Graphene Ribbons at Low Temperature”, 2011, Angew. Chem. Int. Edit, 50(35), 8041, 2011.

20. Q.J. Zhang, B. Li, Q.H. Yuan, BH Li, Z.F. Liu, L.A. Chen, “The isomeric effect on the adjacent Si dimer didechlorination of trans and iso-dichloroethylene on Si(100)-2 x 1”,Phys. Chem. Chem. Phys., 13(15), 7090, 2011.

2010

21. Q.H Yuan, J.B. Li, X.L. Fan, W.M. Lau and Zhi-Feng Liu.,* “A barrier for the Al13-+O2 reaction and its implication for the chemisorption of O2 on Al(111)” Chem. Phys. Lett., 489(1-3), 16-19, 2010.

22. Q.H. Yuan, Q.S. Li, K.D. Wang, Zhi-feng Liu, “An intermediate in the STM tip-induced atomic process on H/Si(100) surfaces: theoretical investigation” Phys. Rev. B, 81(20), 205301, 2010.

23. H.X. Chang, Z.H. Sun, Q.H. Yuan, F. Ding, X.M. Tao, F. Yan, Z.J. Zheng, “Thin Film Field-Effect Phototransistors from Bandgap-Tunable, Solution-Processed, Few-Layer Reduced Graphene Oxide Films”, Adv. Mater., 22(43), 4872-4876, 2010.

2003

24. X. Lu, Q.H. Yuan, Q. Zhang, “Sidewall-Epoxidation of Single-Walled Carbon Nanotubes: A Theoretical Prediction.” Org. Lett., 5(19), 3527-3530, 2003.

25. X. Lu,* X.L. Wang, Q.H. Yuan, “Diradical mechanisms for the cycloaddition reactions of 1,3-butadiene, benzene, thiophene, ethylene, and acetylene on a Si(111)-7x7 surface.”J AM. CHEM. SOC., 125(26), 7923-7929, 2003.

发表中文论文：

1 石墨烯化学气象沉积法生长机理 丁峰; 袁清红; 王璐; 张秀云; 高俊峰 中国化学会第29届学术年会摘要集——第36分会：纳米体系理论与模拟 2014-08-04

2 碳纳米管CVD生长速度及缺陷消除的理论研究 袁清红; 丁峰 中国化学会第29届学术年会摘要集——第36分会：纳米体系理论与模拟 2014-08-04

3 石墨烯CVD生长机理及其控制的理论研究 袁清红; 丁峰 中国化学会第十二届全国量子化学会议论文摘要集 2014-06-12

4 Structure of Lennard–Jones nanowires encapsulated by carbon nanotubes 优先出版 吴雯倩; 田明丽; 陈航燕; 袁清红; 孙得彦 Chinese Physics B 2013-12-26

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袁清红：首次揭示Zigzag型碳纳米管生长机制

国际著名化学期刊《Angewandte Chemie InternationalEdition》(《德国应用化学》,SCI影响因子11.336) 第54期发表我校物理学系副教授袁清红论文“How a Zigzag Carbon Nanotube Grows”，并将该文选为封底文章。论文首次从理论上揭示了被称之为Zigzag碳纳米管的生长机制，解释了实验上一直难以获得Zigzag碳纳米管的根本原因，提出通过催化剂选择和改善实验条件获得Zigzag碳纳米管的实验手段。

Zigzag单壁碳纳米管（绿色碳管）的生长速度比其它手性碳纳米管（黄色碳管）慢，产率较低。

Zigzag单壁碳纳米管的微观生长机制：

每一圈碳原子的加入都需要经历一个一维成核过程

碳纳米管的电学性能与其几何结构密切相关，实现碳纳米管的结构可控制备是推动碳纳米管电子学的重要前提之一。目前实验上最常见的用来合成碳纳米管的方法是化学气相沉积（CVD）法。然而，大量实验研究发现用该方法所获得的碳纳米管大部分为螺旋角度较大的碳纳米管，螺旋角度为零的Zigzag碳纳米管极少能被获得。长久以来，这一问题一直困扰实验科学家。 　　

针对这一实验现象，袁清红与香港理工大学的丁峰教授合作，对Zigzag碳纳米管的生长机制进行深入研究，发现其结构与其它手性碳纳米管的根本不同之处在于，其生长的开口端是由完全封闭的圆形碳链组成的，这导致Zigzag碳纳米管的生长必须经历一维成核过程。 　　

袁清红与其合作者通过理论计算证明这一成核过程须克服一个很高的势垒，因此极大地降低了Zigzag碳纳米管的生长速度，导致Zigzag碳纳米管在实验上很难被获得和发现。此外，这一理论结果还发现，可通过选择活性高的金属催化剂（如Fe）以及较高的实验温度来获得更高产量的Zigzag碳纳米管并且Zigzag碳纳米管的生长速率正比于其直径。这些理论预言还有待实验科学家的进一步验证。

袁清红在物理学系高性能计算机房

袁清红近年来对碳纳米管和石墨烯的CVD生长机制进行了深入的研究。前期工作包括第一作者论文Phys. Rev. Lett.两篇，J. Am. Chem. Soc.两篇，这次发表的论文是对前期研究工作的拓展和完善，也是她在华东师大入职后独立发表的首篇顶级杂志论文。此外，袁清红与香港理工大学丁峰教授课题组及国内外实验工作者保持着良好的合作关系，合作发表的顶级杂志论文包括Nat. Commun.，ACS Nano， Adv. Mater.。