牛智川中国科学院半导体研究所研究员材料科学与工程工程与技术科学创新人物科技创新网

牛智川 男博导半导体研究所，牛智川，男，1963年4月生。1996年获得中国科学院半导体研究所理学博士学位。曾留学德国、美国。现任中科院半导体所研究员，博士生导师，半导体超晶格国家重点实验室—新型光电材料分子束外延课题组长。基金委“国家杰出青年科学基金”、人事部“新世纪百千万人才工程国家级人选（首批）”、“国务院政府特殊津贴”获得者。中国真空学会纳米与表面第五届学术委员会委员，中国真空学会第六届理事会理事，中国电子学会半导体与集成技术第七届委员会委员。

研究领域为半导体低维材料外延生长、受限光电子体系量子效应、高性能光电器件及新型量子器件制备。目前研究方向有：InAs量子点非经典光电效应及单光子量子器件；GaAs基InGaAsNSb材料与光电器件；异变纳米结构半导体多结高效太阳能电池、InAs/GaSb超晶格光电探测器件等。利用高指数面图形衬底各向异性，用原子氢辅助分子束外延生长出AlGaAs/GaAs量子点列阵；发现液滴分子束外延GaAs/AlGaAs非应变和InGaAs/GaAs应变量子环形成现象；提出InAs量子点的亚单原子层循环变温外延技术，大幅度提高均匀性，实现低、高密度量子点可控生长；研制成功1.31微米InAs量子点室温连续激光器，液氮温度电驱动InAs量子点单光子发射器件；研究GaInAs(N,Sb)/GaAs长波长材料，提出电子结构模型阐明含Sb元素稀N材料发光机制，发明真空气源瞬态开关控制技术突破外延生长难题；研制成功1.31微米垂直腔面发射激光器、1.55微米谐振腔增强探测器、国际上首次报道1.59微米室温连续激射激光器；研究了InGaAs/GaAs大In组分异变量子阱材料，提出In组分线性变化生长技术，首次实现低阈值1.33微米异变量子阱激光器，采用Sb诱导生长1.58 微米InGaAs/GaAs量子阱激光器实现室温激射。提出GaAs基AlSb成核和GaSb厚膜两步外延法，生长出了高质量GaSb/GaAs异变材料，国内首次报道2-5微米InAs/GaSb超晶格光导红外探测器。在Nature，Applied Physics Letter, Physics Review B.等发表论文80多篇。研究成果受到英国III-Vs Review，Compound Semiconductor, 美国Technique Insights, Laser Focus World等权威评价。获2006年度北京市科学技术奖基础类二等奖1项（排名第1）。有多名研究生获得中科院优秀奖和冠名奖。与瑞典、英国、俄罗斯等多个著名课题组开展了广泛国际合作，联合培养的博士生曾获得国家优秀留学生奖。

教育背景

1996-10--1998-10 德国PDI固体电子学研究所博士后

学位

中国科学院半导体研究所理学博士学位。

出国学习工作

1996-1998：德国，PDI研究所博士后

1998-1999，美国，南加州大学研究助理

清华大学物理学硕士、中科院半导体物理学博士

学术兼职：

发明公开：

[1]董巍, 任书超, 刘云, 王凡, 黄社松, 牛智川. 一体式单发型He-3制冷机恒温器及其工作方法[P]. 北京市: CN118258146A, 2024-06-28.

[2]尚向军, 牛智川, 倪海桥, 刘汗青, 李叔伦, 苏向斌, 戴德琰, 马奔, 陈泽升. 基于量子点实现光子对发射及光纤输出的装置及方法[P]. 北京市: CN118244553A, 2024-06-25.

[3]尚向军, 牛智川, 倪海桥, 苏向斌, 刘汗青, 王国伟, 李叔伦, 戴德琰, 张宇. 基于半导体激光器的全息光刻装置及全息光刻方法[P]. 北京市: CN117970753A, 2024-05-03.

[4]单一凡, 牛智川, 吴东海, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 郝宏玥, 周文广, 谢若愚, 常发冉, 李农. 一种红外探测器的制备方法、红外探测器[P]. 北京市: CN117637908A, 2024-03-01.

[5]石建美, 牛智川, 杨成奥, 徐应强, 张宇, 倪海桥, 陈益航, 王天放, 余红光. 具有片上滤波结构的半导体激光器及其制备方法[P]. 北京市: CN117424072A, 2024-01-19.

[6]李晶, 任书超, 董巍, 冯长沙, 王凡, 刘云, 杨威, 黄社松, 牛智川. 一种亚K超低震动超低温系统[P]. 北京市: CN117299242A, 2023-12-29.

[7]李农, 牛智川, 王国伟, 徐应强, 蒋洞微, 吴东海, 郝宏玥, 倪海桥, 苏向斌. 双极势垒短波红外探测器及制备方法[P]. 北京市: CN116936659A, 2023-10-24.

[8]牛智川, 倪海桥, 胡承勇, 黄社松, 张俊, 尚向军, 刘汗青, 李叔伦, 戴德琰, 苏向斌. 光量子受控非门及其实现方法[P]. 北京市: CN116151382A, 2023-05-23.

[9]石建美, 牛智川, 杨成奥, 张宇, 徐应强, 倪海桥, 王天放, 陈益航, 余红光. 半导体激光器[P]. 北京市: CN115832870A, 2023-03-21.

[10]倪海桥, 牛智川, 丁颖. 一种束流机械可控带阀门块分子束外延金属元素源炉[P]. 江苏省: CN115726029A, 2023-03-03.

[11]尚向军, 牛智川, 倪海桥, 苏向斌, 王国伟, 刘汗青, 李叔伦, 戴德琰. 利用半导体激光器实现全息光刻的装置[P]. 北京市: CN115373229A, 2022-11-22.

[12]蒋俊锴, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 常发冉, 李勇, 崔素宁, 陈伟强. 周期渐变超晶格宽光谱红外探测器及其制备方法[P]. 北京市: CN114582996A, 2022-06-03.

[13]崔素宁, 牛智川, 蒋洞微, 王国伟, 徐应强, 吴东海, 郝宏玥, 陈伟强, 蒋俊锴. 近-远红外宽光谱超晶格探测器[P]. 北京市: CN114464632A, 2022-05-10.

[14]林芳祁, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 李农, 周文广, 蒋洞微, 蒋俊锴, 常发冉, 陈伟强, 李勇. 双色异质结光电晶体管及其制备方法[P]. 北京市: CN114335232A, 2022-04-12.

[15]周文广, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 吴东海, 蒋俊锴, 常发冉, 李农, 林芳祁, 崔素宁, 陈伟强. 一种短波双色红外探测器及其制备方法[P]. 北京市: CN114122185A, 2022-03-01.

[16]周文广, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 蒋俊锴, 常发冉, 李农, 林芳祁, 崔素宁, 陈伟强. 红外探测器及其制备方法[P]. 北京市: CN113972296A, 2022-01-25.

[17]王天放, 牛智川, 杨成奥, 张宇, 徐应强, 陈益航, 张一, 尚金铭, 刘冰. 多波长集成单模激光种子源[P]. 北京市: CN113540973A, 2021-10-22.

[18]李叔伦, 牛智川, 倪海桥, 尚向军, 刘冰, 朱小贵, 何胜. 微透镜阵列耦合反射层结构制备方法[P]. 北京市: CN113484941A, 2021-10-08.

[19]郝宏玥, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 吴东海. 一种红外探测器及其制备方法[P]. 北京市: CN113488558A, 2021-10-08.

[20]牛智川, 李农, 刘冰, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 吴东海, 郝宏玥, 赵有文, 朱小贵, 何胜. 在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法[P]. 江苏省: CN113358677A, 2021-09-07.

[21]王国伟, 李农, 刘冰, 朱小贵, 李宁, 牛智川. 双色探测器及其制备方法[P]. 江苏省: CN113327991A, 2021-08-31.

[22]王国伟, 李农, 刘冰, 朱小贵, 李宁, 牛智川. 中波超晶格红外探测器[P]. 江苏省: CN113327992A, 2021-08-31.

[23]郝宏玥, 徐应强, 牛智川, 王国伟, 蒋洞微. 焦平面红外探测器芯片、探测器和制备方法[P]. 北京市: CN113130676A, 2021-07-16.

[24]陈伟强, 牛智川, 蒋洞微, 崔素宁, 李勇, 蒋俊锴, 王国伟, 徐应强. 利用钝化层负电化抑制侧壁漏电流的探测器的制备方法[P]. 北京市: CN113113511A, 2021-07-13.

[25]崔素宁, 蒋洞微, 李勇, 陈伟强, 蒋俊锴, 王国伟, 徐应强, 牛智川. 互补势垒超晶格长波红外探测器[P]. 北京市: CN113035992A, 2021-06-25.

[26]郝宏玥, 徐应强, 牛智川, 王国伟, 蒋洞微. GaSb焦平面红外探测器的制备方法及GaSb焦平面红外探测器[P]. 北京市: CN113013289A, 2021-06-22.

[27]张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 单片集成级联量子阱宽调谐中红外激光器及制备方法[P]. 北京市: CN112366514A, 2021-02-12.

[28]马晓乐, 郭杰, 郝瑞亭, 艾尔肯•阿不都瓦衣提, 魏国帅, 孙帅辉, 方水柳, 李晓明, 王云鹏, 刘慧敏, 王国伟, 徐应强, 牛智川. 一种基于Sb化物的中短波双色红外探测器及其制备方法[P]. 云南省: CN112164731A, 2021-01-01.

[29]施毅, 岳壮豪, 牛智川, 王国伟, 徐应强, 蒋洞微, 常发冉, 李勇, 王军转, 郑有炓. 一种锑化物超晶格甚长波红外探测器中抑制扩散暗电流的结构[P]. 江苏省: CN111710732A, 2020-09-25.

[30]施毅, 岳壮豪, 牛智川, 王国伟, 徐应强, 蒋洞微, 常发冉, 李勇, 王军转, 郑有炓. 一种超晶格甚长波红外探测器结构[P]. 江苏省: CN111710733A, 2020-09-25.

[31]何小武, 牛智川, 张宇, 徐应强, 陈昊, 孙宝权, 窦秀明, 尚向军, 倪海桥, 任正伟, 刘汗青. 量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法[P]. 北京市: CN111525005A, 2020-08-11.

[32]张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 一种中红外锑化物量子级联激光器及其制备方法[P]. 北京市: CN111431033A, 2020-07-17.

[33]李叔伦, 牛智川, 倪海桥, 尚向军, 陈瑶. 量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法[P]. 北京市: CN111403567A, 2020-07-10.

[34]杨成奥, 牛智川, 张宇, 徐应强, 谢圣文, 张一, 尚金铭, 黄书山, 袁野, 苏向斌, 邵福会. 单片集成双波长半导体激光器及其制备方法[P]. 北京市: CN111276867A, 2020-06-12.

[35]尚金铭, 牛智川, 张宇, 杨成奥, 张一, 谢圣文. 中红外GaSb基半导体碟片激光器[P]. 北京市: CN111262134A, 2020-06-09.

[36]尚金铭, 牛智川, 张宇, 杨成奥, 张一, 谢圣文. 中红外单模激光器[P]. 北京市: CN111244734A, 2020-06-05.

[37]张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 一种中红外波长全覆盖可调谐光模块[P]. 北京市: CN111244757A, 2020-06-05.

[38]尚向军, 牛智川, 马奔, 倪海桥, 李书伦, 陈瑶, 何小武. 光纤耦合单光子源的滤光和二阶关联度测试装置[P]. 北京市: CN111089648A, 2020-05-01.

[39]岳壮豪, 施毅, 牛智川, 王国伟, 徐应强, 蒋洞微, 常发冉, 李勇. 一种具有暗电流抑制结构的锑化物超晶格甚长波红外探测器[P]. 江苏省: CN110797424A, 2020-02-14.

[40]袁野, 牛智川, 苏向斌, 杨成奥, 张宇. InAs/InSb复合型量子点及其生长方法[P]. 北京市: CN110797751A, 2020-02-14.

[41]刘汗青, 牛智川, 倪海桥, 何小武, 尚向军. 基于双腔结构的纠缠光源[P]. 北京市: CN110098563A, 2019-08-06.

[42]郭春妍, 魏思航, 蒋洞微, 王国伟, 徐应强, 汪韬, 牛智川. 红外探测器光陷阱结构的制备方法[P]. 北京市: CN109802004A, 2019-05-24.

[43]杨成奥, 牛智川, 张宇, 徐应强, 谢圣文, 张一, 尚金铭. 片上集成半导体激光器结构及其制备方法[P]. 北京市: CN109586159A, 2019-04-05.

[44]郭春妍, 孙姚耀, 蒋志, 郝宏玥, 吕粤希, 王国伟, 徐应强, 汪韬, 牛智川. 可见光拓展的中波红外探测器单元器件及其制备方法[P]. 北京市: CN109524499A, 2019-03-26.

[45]谢圣文, 牛智川, 张宇, 徐应强, 邵福会, 杨成奥, 张一, 尚金铭, 黄书山, 袁野, 苏向斌. 基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法[P]. 北京市: CN109217109A, 2019-01-15.

[46]张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法[P]. 北京市: CN109149368A, 2019-01-04.

[47]张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法[P]. 北京市: CN108988125A, 2018-12-11.

[48]蒋志, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 孙姚耀, 郭春妍, 贾庆轩, 常发冉. 基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法[P]. 北京市: CN108899379A, 2018-11-27.

[49]蒋志, 牛智川, 王国伟, 徐应强, 孙姚耀, 韩玺, 蒋洞微. 一种分子束外延生长长波红外超晶格界面的优化方法[P]. 北京: CN108648987A, 2018-10-12.

[50]谢圣文, 杨成奥, 张宇, 牛智川. 提高激光器寿命和发光效率的方法[P]. 北京: CN108039645A, 2018-05-15.

[51]郭春妍, 徐建星, 彭红玲, 倪海桥, 汪韬, 牛智川. 太赫兹天线片上集成器件的转移键合结构及其制备方法[P]. 北京: CN107359135A, 2017-11-17.

[52]马奔, 倪海桥, 尚向军, 陈泽升, 牛智川. 电致单光子源器件及其制备方法[P]. 北京: CN107275452A, 2017-10-20.

[53]谢圣文, 张宇, 廖永平, 牛智川. 光学介质薄膜、Al₂O₃、含硅薄膜、激光器腔面膜的制备方法[P]. 北京: CN107254667A, 2017-10-17.

[54]李金伦, 崔少辉, 倪海桥, 牛智川. 一种太赫兹波探测器及其制备方法[P]. 北京: CN107192450A, 2017-09-22.

[55]吕粤希, 孙姚耀, 郭春妍, 王国伟, 徐应强, 牛智川. 基于AlInAsSb体材料作倍增区的雪崩光电二极管及其制备方法[P]. 北京: CN107170847A, 2017-09-15.

[56]杨成奥, 张宇, 廖永平, 徐应强, 牛智川. 单模GaSb基半导体激光器及其制备方法[P]. 北京: CN106953235A, 2017-07-14.

[57]魏思航, 张宇, 廖永平, 倪海桥, 牛智川. 四波长输出半导体激光器及其制备方法[P]. 北京: CN106451076A, 2017-02-22.

[58]廖永平, 张宇, 魏思航, 郝宏玥, 徐应强, 牛智川. 一种大功率1.8#4μm半导体激光器及其制备方法[P]. 北京: CN106300015A, 2017-01-04.

[59]张克露, 张宇, 牛智川. GaSb基单管双区结构短脉冲激光器及其制备方法[P]. 北京: CN106300016A, 2017-01-04.

[60]孙姚耀, 韩玺, 王国伟, 徐应强, 牛智川. 铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法[P]. 北京: CN106298993A, 2017-01-04.

[61]马奔, 陈泽升, 尚向军, 倪海桥, 牛智川. 单光子源器件光纤阵列耦合输出装置、耦合系统及方法[P]. 北京: CN106199856A, 2016-12-07.

[62]马奔, 陈泽升, 尚向军, 倪海桥, 牛智川. 一种电致单光子源器件及其制备方法[P]. 北京: CN106099642A, 2016-11-09.

[63]郝宏玥, 徐应强, 王国伟, 向伟, 韩玺, 蒋洞微, 牛智川. InAs/GaSb超晶格光子晶体红外探测器及其制备方法[P]. 北京: CN106024931A, 2016-10-12.

[64]韩玺, 徐应强, 王国伟, 向伟, 郝宏玥, 牛智川. 一种双通道宽光谱探测器及其制备方法[P]. 北京: CN105957918A, 2016-09-21.

[65]向伟, 王国伟, 徐应强, 郝宏玥, 韩玺, 任正伟, 贺振宏, 牛智川. 单势垒型InGaAsSb红外探测器[P]. 北京: CN105932092A, 2016-09-07.

[66]郭春妍, 徐建星, 倪海桥, 汪韬, 牛智川. 带有DBR层的太赫兹光电导天线外延结构及制备方法[P]. 北京: CN105589119A, 2016-05-18.

[67]裴康明, 倪海桥, 詹锋, 董宇, 牛智川. 共振隧穿二极管近红外探测器[P]. 北京: CN105244407A, 2016-01-13.

[68]王广龙, 董宇, 倪海桥, 牛智川, 高凤岐, 乔中涛. 一种新型结构的单光子探测器[P]. 河北: CN105206702A, 2015-12-30.

[69]杨成奥, 张宇, 廖永平, 魏思航, 徐应强, 牛智川. 一种半导体激光器及其制备方法[P]. 北京: CN105161976A, 2015-12-16.

[70]杨成奥, 张宇, 廖永平, 徐应强, 牛智川. 一种集成半导体激光器的制备方法[P]. 北京: CN105098595A, 2015-11-25.

[71]王广龙, 董宇, 倪海桥, 陈建辉, 高凤岐, 乔中涛, 裴康明, 牛智川. 基于共振隧穿效应的近红外探测器[P]. 北京: CN105047725A, 2015-11-11.

[72]王广龙, 王红培, 高凤岐, 乔中涛, 陈建辉, 董宇, 倪海桥, 杨晓红, 牛智川. 一种基于微腔的量子点场效应单光子探测器[P]. 河北: CN104979420A, 2015-10-14.

[73]徐建星, 査国伟, 张立春, 魏思航, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法[P]. 北京: CN104795461A, 2015-07-22.

[74]裴康明, 倪海桥, 詹锋, 董宇, 牛智川. 低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器[P]. 北京: CN104659145A, 2015-05-27.

[75]裴康明, 倪海桥, 詹锋, 董宇, 牛智川. 基于Ⅱ型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器[P]. 北京: CN104659146A, 2015-05-27.

[76]张立春, 王国伟, 张宇, 徐应强, 倪海桥, 牛智川. 一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法[P]. 北京: CN104611670A, 2015-05-13.

[77]向伟, 王国伟, 徐应强, 郝宏玥, 蒋洞微, 任正伟, 贺振宏, 牛智川. 一种雪崩光电二极管及其制作方法[P]. 北京: CN104465853A, 2015-03-25.

[78]郝宏玥, 王国伟, 向伟, 蒋洞微, 邢军亮, 徐应强, 牛智川. 一种半导体光电器件的表面钝化方法[P]. 北京: CN104409525A, 2015-03-11.

[79]蒋洞微, 向伟, 王娟, 邢军亮, 王国伟, 徐应强, 任正伟, 贺振宏, 牛智川. InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法[P]. 北京: CN103887360A, 2014-06-25.

[80]査国伟, 牛智川, 倪海桥, 尚向军, 贺振宏. 利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统[P]. 北京: CN103592818A, 2014-02-19.

[81]査国伟, 牛智川, 倪海桥, 尚向军, 贺振宏. 采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法[P]. 北京: CN103594334A, 2014-02-19.

[82]邢军亮, 张宇, 徐应强, 王国伟, 王娟, 向伟, 任正伟, 牛智川. 带间级联激光器及其制备方法[P]. 北京: CN103579904A, 2014-02-12.

[83]王莉娟, 喻颖, 査国伟, 徐建星, 倪海桥, 牛智川. 一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法[P]. 北京: CN103576221A, 2014-02-12.

[84]张宇, 邢军亮, 徐应强, 任正伟, 牛智川. 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器[P]. 北京: CN103545713A, 2014-01-29.

[85]喻颖, 査国伟, 徐建星, 尚向军, 李密锋, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. 制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法[P]. 北京: CN103531679A, 2014-01-22.

[86]王莉娟, 喻颖, 査国伟, 徐建星, 倪海桥, 牛智川. 基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法[P]. 北京: CN103532010A, 2014-01-22.

[87]喻颖, 李密锋, 贺继方, 査国伟, 徐建星, 尚向军, 王莉娟, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. 基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法[P]. 北京: CN103531441A, 2014-01-22.

[88]邢军亮, 张宇, 徐应强, 王国伟, 王娟, 向伟, 任正伟, 牛智川. InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法[P]. 北京: CN103441181A, 2013-12-11.

[89]丁颖, 倪海桥, 李密锋, 喻颖, 查国伟, 徐建新, 王莉娟, 牛智川. 硅基半导体超短脉冲激光器[P]. 北京: CN103414106A, 2013-11-27.

[90]査国伟, 李密锋, 喻颖, 王莉娟, 徐建星, 尚向军, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. 在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法[P]. 北京: CN103367588A, 2013-10-23.

[91]倪海桥, 丁颖, 徐应强, 李密锋, 喻颖, 査国伟, 徐建新, 牛智川. 基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备[P]. 北京: CN103368042A, 2013-10-23.

[92]査国伟, 牛智川, 倪海桥, 李密锋, 喻颖, 王莉娟, 徐建星, 尚向军, 贺振宏. 一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法[P]. 北京: CN103345028A, 2013-10-09.

[93]李密锋, 喻颖, 贺继方, 査国伟, 尚向军, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法[P]. 北京: CN103194793A, 2013-07-10.

[94]尚向军, 倪海桥, 査国伟, 喻颖, 李密峰, 王莉娟, 徐建星, 牛智川. 自组织单量子点的定位方法及装置[P]. 北京: CN103163109A, 2013-06-19.

[95]査国伟, 李密锋, 喻颖, 王莉娟, 徐建星, 尚向军, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. 在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法[P]. 北京: CN103165418A, 2013-06-19.

[96]邢军亮, 张宇, 王国伟, 王娟, 王丽娟, 任正伟, 徐应强, 牛智川. 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法[P]. 北京: CN103078252A, 2013-05-01.

[97]査国伟, 喻颖, 李密峰, 王莉娟, 倪海桥, 贺正宏, 牛智川. 制备微透镜阵列的方法[P]. 北京: CN102967891A, 2013-03-13.

[98]倪海桥, 丁颖, 李密锋, 喻颖, 査国伟, 牛智川. 多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构[P]. 北京: CN102832538A, 2012-12-19.

[99]贺继方, 尚向军, 倪海桥, 王海莉, 李密峰, 朱岩, 王莉娟, 喻颖, 贺正宏, 徐应强, 牛智川. 在衬底上生长异变缓冲层的方法[P]. 北京: CN102194671A, 2011-09-21.

[100]牛智川, 倪海桥, 王海莉, 贺继方, 朱岩, 李密峰, 王鹏飞, 黄社松, 熊永华. 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法[P]. 北京: CN102034909A, 2011-04-27.

[101]张宇, 王国伟, 汤宝, 任正伟, 徐应强, 牛智川, 陈良惠. HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器[P]. 北京: CN101814545A, 2010-08-25.

[102]王国伟, 汤宝, 周志强, 任正伟, 徐应强, 牛智川. 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法[P]. 北京: CN101777601A, 2010-07-14.

[103]王鹏飞, 吴东海, 吴兵朋, 熊永华, 詹峰, 黄社松, 倪海桥, 牛智川. 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法[P]. 北京: CN101624725, 2010-01-13.

[104]汤宝, 周志强, 郝瑞亭, 任正伟, 徐应强, 牛智川. GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法[P]. 北京: CN101576413, 2009-11-11.

[105]周志强, 郝瑞亭, 汤宝, 任正伟, 徐应强, 牛智川. GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法[P]. 北京: CN101562210, 2009-10-21.

[106]郝瑞亭, 周志强, 任正伟, 徐应强, 牛智川. 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法[P]. 北京: CN101207022, 2008-06-25.

[107]郝瑞亭, 周志强, 任正伟, 徐应强, 牛智川. 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法[P]. 北京: CN101148776, 2008-03-26.

[108]牛智川, 倪海桥, 韩勤, 张石勇, 吴东海, 赵欢, 杨晓红, 彭红玲, 周志强, 熊永华, 吴荣汉. 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法[P]. 北京: CN1953217, 2007-04-25.

[109]赵建华, 邓加军, 毕京峰, 牛智川, 杨富华, 吴晓光, 郑厚植. 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法[P]. 北京: CN1866465, 2006-11-22.

[110]赵建华, 蒋春萍, 郑厚植, 邓加军, 杨富华, 牛智川, 吴晓光. 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法[P]. 北京: CN1815213, 2006-08-09.

[111]牛智川, 方志丹, 倪海桥, 韩勤, 龚政, 张石勇, 佟存柱, 彭红玲, 吴东海, 赵欢, 吴荣汉. 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法[P]. 北京: CN1786107, 2006-06-14.

[112]徐晓华, 倪海桥, 牛智川, 贺正宏, 王建林. 高击穿电压的高电子迁移率晶体管[P]. 北京: CN1707807, 2005-12-14.

[113]牛智川, 徐晓华, 倪海桥, 徐应强, 韩勤, 吴荣汉. 高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法[P]. 北京: CN1624996, 2005-06-08.

[114]牛智川, 倪海桥, 徐晓华, 徐应强, 张纬, 韩勤, 吴荣汉. 气态束源炉瞬态开关控制真空装置[P]. 北京: CN1548576, 2004-11-24.

[115]刘金龙, 李树深, 牛智川. 自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法[P]. 北京: CN1549411, 2004-11-24.

[116]牛智川, 封松林, 杨富华, 王晓东, 汪辉, 李树英, 苗振华, 李树深. 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法[P]. 北京: CN1372360, 2002-10-02.

发明授权：

[1]董巍, 任书超, 刘云, 王凡, 黄社松, 牛智川. 一体式单发型He-3制冷机恒温器及其工作方法[P]. 北京市: CN118258146B, 2024-08-13.

[2]牛智川, 倪海桥, 胡承勇, 黄社松, 张俊, 尚向军, 刘汗青, 李叔伦, 戴德琰, 苏向斌. 光量子受控非门及其实现方法[P]. 北京市: CN116151382B, 2024-07-30.

[3]李晶, 任书超, 董巍, 冯长沙, 王凡, 刘云, 杨威, 黄社松, 牛智川. 一种亚K超低震动超低温系统[P]. 北京市: CN117299242B, 2024-03-12.

[4]施毅, 岳壮豪, 牛智川, 王国伟, 徐应强, 蒋洞微, 常发冉, 李勇, 王军转, 郑有炓. 一种超晶格甚长波红外探测器结构[P]. 江苏省: CN111710733B, 2023-10-17.

[5]林芳祁, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 李农, 周文广, 蒋洞微, 蒋俊锴, 常发冉, 陈伟强, 李勇. 双色异质结光电晶体管及其制备方法[P]. 北京市: CN114335232B, 2023-04-14.

[6]蒋俊锴, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 常发冉, 李勇, 崔素宁, 陈伟强. 周期渐变超晶格宽光谱红外探测器及其制备方法[P]. 北京市: CN114582996B, 2023-03-24.

[7]周文广, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 吴东海, 蒋俊锴, 常发冉, 李农, 林芳祁, 崔素宁, 陈伟强. 一种短波双色红外探测器及其制备方法[P]. 北京市: CN114122185B, 2023-02-17.

[8]周文广, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 蒋俊锴, 常发冉, 李农, 林芳祁, 崔素宁, 陈伟强. 红外探测器及其制备方法[P]. 北京市: CN113972296B, 2022-11-11.

[9]李叔伦, 牛智川, 倪海桥, 尚向军, 刘冰, 朱小贵, 何胜. 微透镜阵列耦合反射层结构制备方法[P]. 北京市: CN113484941B, 2022-10-18.

[10]牛智川, 李农, 刘冰, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 吴东海, 郝宏玥, 赵有文, 朱小贵, 何胜. 在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法[P]. 江苏省: CN113358677B, 2022-09-02.

[11]王国伟, 李农, 刘冰, 朱小贵, 李宁, 牛智川. 双色探测器及其制备方法[P]. 江苏省: CN113327991B, 2022-08-16.

[12]陈伟强, 牛智川, 蒋洞微, 崔素宁, 李勇, 蒋俊锴, 王国伟, 徐应强. 利用钝化层负电化抑制侧壁漏电流的探测器的制备方法[P]. 北京市: CN113113511B, 2022-07-26.

[13]郝宏玥, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 吴东海. 一种红外探测器及其制备方法[P]. 北京市: CN113488558B, 2022-04-29.

[14]张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法[P]. 北京市: CN109149368B, 2021-12-14.

[15]何小武, 牛智川, 张宇, 徐应强, 陈昊, 孙宝权, 窦秀明, 尚向军, 倪海桥, 任正伟, 刘汗青. 量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法[P]. 北京市: CN111525005B, 2021-06-18.

[16]岳壮豪, 施毅, 牛智川, 王国伟, 徐应强, 蒋洞微, 常发冉, 李勇. 一种具有暗电流抑制结构的锑化物超晶格甚长波红外探测器[P]. 江苏省: CN110797424B, 2021-05-25.

[17]李叔伦, 牛智川, 倪海桥, 尚向军, 陈瑶. 量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法[P]. 北京市: CN111403567B, 2021-05-14.

[18]尚金铭, 牛智川, 张宇, 杨成奥, 张一, 谢圣文. 中红外GaSb基半导体碟片激光器[P]. 北京市: CN111262134B, 2021-05-07.

[19]张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 一种中红外锑化物量子级联激光器及其制备方法[P]. 北京市: CN111431033B, 2021-04-09.

[20]刘汗青, 牛智川, 倪海桥, 何小武, 尚向军. 基于双腔结构的纠缠光源[P]. 北京市: CN110098563B, 2021-03-12.

[21]张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 一种中红外波长全覆盖可调谐光模块[P]. 北京市: CN111244757B, 2021-03-05.

[22]杨成奥, 牛智川, 张宇, 徐应强, 谢圣文, 张一, 尚金铭, 黄书山, 袁野, 苏向斌, 邵福会. 单片集成双波长半导体激光器及其制备方法[P]. 北京市: CN111276867B, 2021-01-29.

[23]郭春妍, 魏思航, 蒋洞微, 王国伟, 徐应强, 汪韬, 牛智川. 红外探测器光陷阱结构的制备方法[P]. 北京市: CN109802004B, 2021-01-15.

[24]尚向军, 牛智川, 马奔, 倪海桥, 李叔伦, 陈瑶, 何小武. 光纤耦合单光子源的滤光和二阶关联度测试装置[P]. 北京市: CN111089648B, 2020-11-13.

[25]蒋志, 牛智川, 王国伟, 徐应强, 孙姚耀, 韩玺, 蒋洞微. 一种分子束外延生长长波红外超晶格界面的优化方法[P]. 北京市: CN108648987B, 2020-10-09.

[26]谢圣文, 牛智川, 张宇, 徐应强, 邵福会, 杨成奥, 张一, 尚金铭, 黄书山, 袁野, 苏向斌. 基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法[P]. 北京市: CN109217109B, 2020-05-26.

[27]杨成奥, 牛智川, 张宇, 徐应强, 谢圣文, 张一, 尚金铭. 片上集成半导体激光器结构及其制备方法[P]. 北京市: CN109586159B, 2020-05-12.

[28]张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法[P]. 北京市: CN108988125B, 2020-04-21.

[29]魏思航, 张宇, 廖永平, 倪海桥, 牛智川. 四波长输出半导体激光器及其制备方法[P]. 北京市: CN106451076B, 2019-11-29.

[30]蒋志, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 孙姚耀, 郭春妍, 贾庆轩, 常发冉. 基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法[P]. 北京市: CN108899379B, 2019-10-25.

[31]孙姚耀, 韩玺, 王国伟, 徐应强, 牛智川. 铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法[P]. 北京市: CN106298993B, 2018-09-04.

[32]马奔, 陈泽升, 尚向军, 倪海桥, 牛智川. 单光子源器件光纤阵列耦合输出装置、耦合系统及方法[P]. 北京市: CN106199856B, 2017-11-17.

[33]王广龙, 王红培, 高凤岐, 乔中涛, 陈建辉, 董宇, 倪海桥, 杨晓红, 牛智川. 一种基于微腔的量子点场效应单光子探测器[P]. 河北省: CN104979420B, 2017-11-14.

[34]韩玺, 徐应强, 王国伟, 向伟, 郝宏玥, 牛智川. 一种双通道宽光谱探测器及其制备方法[P]. 北京市: CN105957918B, 2017-11-03.

[35]王广龙, 董宇, 倪海桥, 牛智川, 高凤岐, 乔中涛. 一种新型结构的单光子探测器[P]. 河北省: CN105206702B, 2017-10-10.

[36]裴康明, 倪海桥, 詹锋, 董宇, 牛智川. 共振隧穿二极管近红外探测器[P]. 北京市: CN105244407B, 2017-05-03.

[37]张立春, 王国伟, 张宇, 徐应强, 倪海桥, 牛智川. 一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法[P]. 北京市: CN104611670B, 2017-04-12.

[38]裴康明, 倪海桥, 詹锋, 董宇, 牛智川. 低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器[P]. 北京市: CN104659145B, 2017-01-25.

[39]向伟, 王国伟, 徐应强, 郝宏玥, 蒋洞微, 任正伟, 贺振宏, 牛智川. 一种雪崩光电二极管及其制作方法[P]. 北京市: CN104465853B, 2017-01-11.

[40]王莉娟, 喻颖, 査国伟, 徐建星, 倪海桥, 牛智川. 基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法[P]. 北京市: CN103532010B, 2016-09-14.

[41]査国伟, 牛智川, 倪海桥, 尚向军, 贺振宏. 利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统[P]. 北京市: CN103592818B, 2016-08-17.

[42]蒋洞微, 向伟, 王娟, 邢军亮, 王国伟, 徐应强, 任正伟, 贺振宏, 牛智川. InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法[P]. 北京市: CN103887360B, 2016-08-17.

[43]徐建星, 査国伟, 张立春, 魏思航, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法[P]. 北京市: CN104795461B, 2016-08-17.

[44]喻颖, 李密锋, 贺继方, 査国伟, 徐建星, 尚向军, 王莉娟, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. 基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法[P]. 北京市: CN103531441B, 2016-05-04.

[45]李密锋, 喻颖, 贺继方, 査国伟, 尚向军, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法[P]. 北京市: CN103194793B, 2016-04-13.

[46]喻颖, 査国伟, 徐建星, 尚向军, 李密锋, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. 制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法[P]. 北京市: CN103531679B, 2016-03-23.

[47]邢军亮, 张宇, 徐应强, 王国伟, 王娟, 向伟, 任正伟, 牛智川. 带间级联激光器及其制备方法[P]. 北京市: CN103579904B, 2015-11-18.

[48]王莉娟, 喻颖, 査国伟, 徐建星, 倪海桥, 牛智川. 一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法[P]. 北京市: CN103576221B, 2015-11-18.

[49]张宇, 邢军亮, 徐应强, 任正伟, 牛智川. 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器[P]. 北京市: CN103545713B, 2015-11-11.

[50]査国伟, 李密锋, 喻颖, 王莉娟, 徐建星, 尚向军, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. 在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法[P]. 北京市: CN103165418B, 2015-08-19.

[51]丁颖, 倪海桥, 李密锋, 喻颖, 查国伟, 徐建新, 王莉娟, 牛智川. 硅基半导体超短脉冲激光器[P]. 北京市: CN103414106B, 2015-07-15.

[52]尚向军, 倪海桥, 査国伟, 喻颖, 李密峰, 王莉娟, 徐建星, 牛智川. 自组织单量子点的定位方法及装置[P]. 北京市: CN103163109B, 2015-03-11.

[53]査国伟, 喻颖, 李密峰, 王莉娟, 倪海桥, 贺正宏, 牛智川. 制备微透镜阵列的方法[P]. 北京市: CN102967891B, 2014-08-27.

[54]邢军亮, 张宇, 王国伟, 王娟, 王丽娟, 任正伟, 徐应强, 牛智川. 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法[P]. 北京市: CN103078252B, 2014-08-20.

[55]贺继方, 尚向军, 倪海桥, 王海莉, 李密峰, 朱岩, 王莉娟, 喻颖, 贺正宏, 徐应强, 牛智川. 在衬底上生长异变缓冲层的方法[P]. 北京市: CN102194671B, 2012-08-15.

[56]王国伟, 汤宝, 周志强, 任正伟, 徐应强, 牛智川. 一种制作InAs/GaSb超晶格红外光电探测器的方法[P]. 北京市: CN101777601B, 2012-05-30.

[57]张宇, 王国伟, 汤宝, 任正伟, 徐应强, 牛智川, 陈良惠. HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器[P]. 北京市: CN101814545B, 2012-01-04.

[58]王鹏飞, 吴东海, 吴兵朋, 熊永华, 詹峰, 黄社松, 倪海桥, 牛智川. 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法[P]. 北京市: CN101624725B, 2012-01-04.

[59]汤宝, 周志强, 郝瑞亭, 任正伟, 徐应强, 牛智川. GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法[P]. 北京市: CN101576413B, 2010-12-01.

[60]郝瑞亭, 周志强, 任正伟, 徐应强, 牛智川. 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法[P]. 北京市: CN100495646C, 2009-06-03.

[61]赵建华, 蒋春萍, 郑厚植, 邓加军, 杨富华, 牛智川, 吴晓光. 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法[P]. 北京市: CN100412536C, 2008-08-20.

[62]牛智川, 倪海桥, 韩勤, 张石勇, 吴东海, 赵欢, 杨晓红, 彭红玲, 周志强, 熊永华, 吴荣汉. 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法[P]. 北京市: CN100382347C, 2008-04-16.

[63]赵建华, 邓加军, 毕京峰, 牛智川, 杨富华, 吴晓光, 郑厚植. 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法[P]. 北京市: CN100355017C, 2007-12-12.

[64]徐晓华, 倪海桥, 牛智川, 贺正宏, 王建林. 高击穿电压的高电子迁移率晶体管[P]. 北京市: CN100342547C, 2007-10-10.

[65]刘金龙, 李树深, 牛智川. 自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法[P]. 北京市: CN1312813C, 2007-04-25.

[66]牛智川, 倪海桥, 徐晓华, 徐应强, 张纬, 韩勤, 吴荣汉. 气态束源炉瞬态开关控制真空装置[P]. 北京市: CN1255572C, 2006-05-10.

[67]牛智川, 封松林, 杨富华, 王晓东, 汪辉, 李树英, 苗振华, 李树深. 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法[P]. 北京市: CN1145247C, 2004-04-07.

实用新型：

[1]倪海桥, 牛智川, 丁颖. 一种束流机械可控带阀门块分子束外延金属元素源炉[P]. 江苏省: CN219363869U, 2023-07-18.

[2]马晓乐, 郭杰, 郝瑞亭, 艾尔肯•阿不都瓦衣提, 魏国帅, 孙帅辉, 方水柳, 李晓明, 王云鹏, 刘慧敏, 王国伟, 徐应强, 牛智川. 一种基于Sb化物的中短波双色红外探测器[P]. 云南省: CN213242573U, 2021-05-18.

[3]佟存柱, 牛智川, 韩勤, 杜云, 吴荣汉. 可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置[P]. 北京: CN2777751, 2006-05-03.

出版专著：

[1]晶格工程，Lattice Engneering，Pan Stanford Publishing，2012-05，第5作者

代表性论文：

1. Ying Yu, Xiu-Ming Dou,Bin Wei,Guo-Wei Zha,Li Wang,Xiang-Jun Shang, Dan Su, Jian-Xing Xu, Hai-Yan Wang, Hai-Qiao Ni, Bao-Quan Sun, Yuan Ji, Xiao-Dong Han, Zhi-Chuan Niu*, “Self-assembled quantum dot structures in a hexagonal nanowire for quantum Photonics”, Advanced Materials, 26(17), 2710(2014)

2. Guowei Zha, Xiangjun Shang, Dan Su, Ying Yu, Bin Wei, Li Wang, Mifeng Li, Lijuan Wang, Jianxing Xu, Haiqiao Ni, Yuan Ji, Baoquan Sun and Zhichuan Niu*, “Self-assembly of single square quantum ring in gold-free GaAs nanowires”, Nanoscale, 6, 3190(2014)

3. Geng Chen, Yang Zou, Xiao-Ye Xu, Jian-Shun Tang, Yu-Long Li, Jin-Shi Xu, Yong-Jian Han, Chuan-Feng Li, Guang-Can Guo, Hai-Qiao Ni, Ying Yu, Mi-Feng Li, Guo-Wei Zha, Zhi-Chuan Niu, Yaron Kedem, “Experimental Test of the State Estimation-Reversal Tradeoff Relation in General Quantum Measurements”, Physical Review X 4, 021043(2014)

4. Juan Wang, Jun-Liang Xing, Wei Xiang, Guo-Wei Wang, Ying-Qiang Xu, Zheng-Wei Ren, and Zhi-Chuan Niu, Investigation of high hole mobility In0.41Ga0.59Sb/Al0.91Ga0.09Sb quantum well,structures grown by molecular beam epitaxy, Applied Physics Letters 104, 052111 (2014)

5. Ying Yu, Mi-Feng Li, Ji-Fang He,Yu-Ming He, Yu-Jia Wei, and Yu He, Guo-Wei Zha, Xiang-Jun Shang, Juan Wang, Li-Juan Wang, Guo-Wei Wang, Hai-Qiao Ni, Chao-Yang Lu, and Zhi-Chuan Niu*, “Single InAs quantum dot grown at the junction of branched gold-free GaAs nanowire”, Nano Letters, 13,1399(2013).

6. Guowei Zha, Mifeng Li, Ying Yu, Lijuan Wang, Jianxing Xu, Xiangjun Shang, Haiqiao Ni, and Zhichuan Niu*, “Strain-driven synthesis of self-catalyzed branched GaAs nanowires”, Appl. Phys. Lett. 102, 163115(2013)

7. Ying Yu, Xiang-Jun Shang, Mi-Feng Li, Guo-Wei Zha, Jian-Xing Xu, Li-Juan Wang, Guo-Wei Wang, Hai-Qiao Ni, and Zhi-Chuan Niu*，Single InAs quantum dot coupled to different “environments” in one wafer，Appl. Phys. Lett. 102, 201103(2013).

8. Juan Wang, Guowei Wang, Yingqiang Xu, Junliang Xing, Wei Xiang, Bao Tang, Yan Zhu, Zhengwei Ren, Zhenhong He, ZhiChuan Niu*, Molecular Beam Epitaxy Growth of High Electron Mobility InAs/AlSb Deep Quantum Well Structure，J. Appl. Phys. 114, 013704 (2013).

9. K. Konthasinghe, M. Peiris, Y. Yu, M. F. Li, J. F. He, L. J. Wang, H. Q. Ni, Z. C. Niu, C. K. Shih,3 and A. Muller1, "Field-Field and Photon-Photon Correlations of Light Scattered by Two Remote Two-Level InAs Quantum Dots on the Same Substrate"，Physical Review Letters, 109, 267402 (2012).

10. Wang, GW; Xu, YQ; Wang, L J, Ren, ZW; He, ZH; Xing, JL; Niu, ZC, “Complete fabrication study of InAs/GaSb superlattices for long-wavelength infrared detection”, J. Phys. D-Applied Phys, 45(26), 265103(2012)

发表中文期刊论文：

[1]曹钧天, 杨成奥, 陈益航, 余红光, 石建美, 王天放, 闻皓冉, 王致远, 耿峥琦, 张宇, 赵有文, 吴东海, 徐应强, 倪海桥, 牛智川. 高性能锑化物中红外半导体激光器研究进展[J]. 激光技术, 1-16.

[2]万浩然, 杨禹霖, 乔忠良, 李翔, JiaXu Brian Sia, 余文军, 翁登群, 李再金, 李林, 陈浩, 赵志斌, 薄报学, 高欣, 曲轶, 刘重阳, 汪宏, 张宇, 牛智川. 1967～2033 nm波段硅基可调谐外腔半导体激光器设计与仿真[J]. 中国激光, 2024, 51 (06): 82-91.

[3]陈益航, 杨延召, 张桂铭, 徐建星, 苏向斌, 王天放, 余红光, 石建美, 吴斌, 杨成奥, 张宇, 徐应强, 倪海桥, 牛智川. InGaAs/InAlAs光电导太赫兹发射天线的制备与表征[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2023, 21 (12): 1403-1409+1416.

[4]刘京明, 杨俊, 赵有文, 杨成奥, 蒋洞微, 牛智川. GaSb单晶研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53 (01): 1-11.

[5]苏向斌, 邵福会, 郝慧明, 刘汗青, 李叔伦, 戴德炎, 尚向军, 王天放, 张宇, 杨成奥, 徐应强, 倪海桥, 丁颖, 牛智川. High-temperature continuous-wave operation of 1310 nm InAs/GaAs quantum dot lasers[J]. Chinese Physics B, 2023, 32 (09): 591-594.

[6]周文广, 蒋洞微, 尚向军, 吴东海, 常发冉, 蒋俊锴, 李农, 林芳祁, 陈伟强, 郝宏玥, 刘雪璐, 谭平恒, 王国伟, 徐应强, 牛智川. On the origin of carrier localization in AlInAsSb digital alloy[J]. Chinese Physics B, 2023, 32 (08): 574-579.

[7]陈小龙, 牛智川, 李忠辉, 芦红. 编者按[J]. 人工晶体学报, 2023, 52 (05): 717-718+716.

[8]蒋俊锴, 常发冉, 周文广, 李农, 陈伟强, 蒋洞微, 郝宏玥, 王国伟, 吴东海, 徐应强, 牛智川. High-performance extended short-wavelength infrared PBn photodetectors based on InAs/GaSb/AlSb superlattices[J]. Chinese Physics B, 2023, 32 (03): 684-688.

[9]陈益航, 杨成奥, 王天放, 张宇, 徐应强, 牛智川, 余红光, 石建美, 吴斌, 张佳鸣. 锑化物半导体激光器研究进展[J]. 光电技术应用, 2022, 37 (06): 33-37.

[10]黄君辉, 李元和, 王健, 李叔伦, 倪海桥, 牛智川, 窦秀明, 孙宝权. 静水压力调谐Ag纳米颗粒散射场下量子点激子寿命[J]. 物理学报, 2022, 71 (24): 356-363.

[11]李森森, 张宇, 徐广立, 徐应强, 牛智川, 闫秀生. 1.2 W光纤输出2μm锑化物半导体激光器[J]. 中国激光, 2022, 49 (18): 189-190.

[12]林芳祁, 李农, 周文广, 蒋俊锴, 常发冉, 李勇, 崔素宁, 陈伟强, 蒋洞微, 郝宏玥, 王国伟, 徐应强, 牛智川. Growth of high material quality InAs/GaSb type-Ⅱ superlattice for long-wavelength infrared range by molecular beam epitaxy[J]. Chinese Physics B, 2022, 31 (09): 697-700.

[13]李森森, 张宇, 徐应强, 牛智川, 闫秀生. 2μm锑化物半导体激光器光纤输出模块[J]. 红外与激光工程, 2022, 51 (08): 545-546.

[14]许雪月, 蒋俊锴, 陈伟强, 崔素宁, 周文广, 李农, 常发冉, 王国伟, 徐应强, 蒋洞微, 吴东海, 郝宏玥, 牛智川. Wet etching and passivation of GaSb-based very long wavelength infrared detectors[J]. Chinese Physics B, 2022, 31 (06): 163-167.

[15]郝宏玥, 吴东海, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 牛智川. 高性能锑化物超晶格中红外探测器研究进展(特邀)[J]. 红外与激光工程, 2022, 51 (03): 32-41.

[16]李晓明, 郝瑞亭, 倪海桥, 牛智川. 交错梳齿型静电驱动MEMS微镜的设计与制作[J]. 云南师范大学学报(自然科学版), 2022, 42 (02): 9-13.

[17]李元和, 卓志瑶, 王健, 黄君辉, 李叔伦, 倪海桥, 牛智川, 窦秀明, 孙宝权. 金纳米颗粒调控量子点激子自发辐射速率[J]. 物理学报, 2022, 71 (06): 241-247.

[18]马晓乐, 郭杰, 郝瑞亭, 魏国帅, 王国伟, 徐应强, 牛智川. InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器[J]. 红外与毫米波学报, 2021, 40 (05): 569-575.

[19]魏国帅, 郝瑞亭, 郭杰, 马晓乐, 李晓明, 李勇, 常发冉, 庄玉, 王国伟, 徐应强, 牛智川, 王耀. 利用分子束外延生长高质量应变平衡InAs/InAsSbⅡ类超晶格（英文）[J]. 红外与毫米波学报, 2021, 40 (05): 595-604.

[20]张一, 杨成奥, 尚金铭, 陈益航, 王天放, 张宇, 徐应强, 刘冰, 牛智川. GaSb-based type-Ⅰ quantum well cascade diode lasers emitting at nearly 2-μm wavelength with digitally grown AlGaAsSb gradient layers[J]. Chinese Physics B, 2021, 30 (09): 161-164.

[21]黄君辉, 陈昊, 卓志瑶, 王健, 李叔伦, 丁琨, 倪海桥, 牛智川, 江德生, 窦秀明, 孙宝权. Exciton emission dynamics in single InAs/GaAs quantum dots due to the existence of plasmon-field-induced metastable states in the wetting layer[J]. Chinese Physics B, 2021, 30 (09): 544-549.

[22]郑大农, 苏向斌, 徐应强, 牛智川. 高倍增低暗电流AlInAsSb四元数字合金雪崩光电二极管[J]. 红外与毫米波学报, 2021, 40 (02): 172-177.

[23]李勇, 李晓明, 郝瑞亭, 郭杰, 庄玉, 崔素宁, 魏国帅, 马晓乐, 王国伟, 徐应强, 牛智川, 王耀. Growth of high quality InSb thin films on GaAs substrates by molecular beam epitaxy method with AlInSb/GaSb as compound buffer layers[J]. Chinese Physics B, 2021, 30 (02): 661-665.

[24]常发冉, 蒋志, 王国伟, 李勇, 崔素宁, 蒋洞微, 徐应强, 牛智川. 锑化物超晶格长波红外焦平面探测器研究进展[J]. 中国科学:物理学力学天文学, 2021, 51 (02): 32-49.

[25]张一, 杨成奥, 尚金铭, 陈益航, 王天放, 张宇, 徐应强, 刘冰, 牛智川. 半导体带间级联激光器研究进展[J]. 光学学报, 2021, 41 (01): 232-248.

[26]尚向军, 李叔伦, 马奔, 陈瑶, 何小武, 倪海桥, 牛智川. 量子点单光子源的光纤耦合[J]. 物理学报, 2021, 70 (08): 385-392.

[27]李翔, 汪宏, 乔忠良, 张宇, 牛智川, 佟存柱, 刘重阳. 2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率变化的研究(特邀)[J]. 红外与激光工程, 2020, 49 (12): 196-200.

[28]杨成奥, 张一, 尚金铭, 陈益航, 王天放, 佟海保, 任正伟, 张宇, 徐应强, 牛智川. 2～4μm中红外锑化物半导体激光器研究进展(特邀)[J]. 红外与激光工程, 2020, 49 (12): 163-171.

[29]袁野, 苏向斌, 杨成奥, 张一, 尚金铭, 谢圣文, 张宇, 倪海桥, 徐应强, 牛智川. 利用分子束外延在GaAs基上生长高特征温度的InAs量子点激光器（英文）[J]. 红外与毫米波学报, 2020, 39 (06): 667-670.

[30]蒋洞微, 徐应强, 王国伟, 牛智川. 基于锑化物二类超晶格的多色红外探测器研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49 (12): 2211-2220.

[31]郑大农, 苏向斌, 徐应强, 牛智川. 分子束外延生长的GaSb热光伏电池器件特性研究（英文）[J]. 红外与激光工程, 2021, 50 (03): 307-314.

[32]张璇, 贾庆轩, 孙矩, 蒋洞微, 王国伟, 徐应强, 牛智川. High-performance midwavelength infrared detectors based on InAsSb nBn design[J]. Chinese Physics B, 2020, 29 (06): 640-643.

[33]袁野, 柴小力, 杨成奥, 张一, 尚金铭, 谢圣文, 李森森, 张宇, 徐应强, 宿星亮, 牛智川. 2.75μm中红外GaSb基五元化合物势垒量子阱激光器[J]. 中国激光, 2020, 47 (07): 303-307.

[34]崔素宁, 蒋洞微, 孙矩, 贾庆轩, 李农, 张璇, 李勇, 常发冉, 王国伟, 徐应强, 牛智川. Investigation of active-region doping on InAs/GaSb long wave infrared detectors[J]. Chinese Physics B, 2020, 29 (04): 589-595.

[35]杨珏晗, 魏钟鸣, 牛智川. 基于二维材料异质结的光探测器研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49 (03): 379-397.

[36]张静, 吕红亮, 倪海桥, 杨施政, 崔晓然, 牛智川, 张义门, 张玉明. Effect of growth temperature of GaAs_xSb_(1-x) metamorphic buffer layer on electron mobility of InAs/AlSb heterostructures grown on Si substrate[J]. Chinese Physics B, 2019, 28 (11): 368-373.

[37]郝慧明, 苏向斌, 张静, 倪海桥, 牛智川. Molecular beam epitaxial growth of high quality InAs/GaAs quantum dots for 1.3-μm quantum dot lasers[J]. Chinese Physics B, 2019, 28 (07): 499-502.

[38]池振昊, 王海龙, 倪海桥, 牛智川. 1.55μm通信波段InAs/GaAs量子点制备方法研究[J]. 通信技术, 2019, 52 (06): 1311-1315.

[39]尚金铭, 冯健, 杨成奥, 谢圣文, 张一, 佟存柱, 张宇, 牛智川. High quality 2-μm GaSb-based optically pumped semiconductor disk laser grown by molecular beam epitaxy[J]. Chinese Physics B, 2019, 28 (03): 175-179.

[40]蒋志, 孙姚耀, 郭春妍, 吕粤希, 郝宏玥, 蒋洞微, 王国伟, 徐应强, 牛智川. High quantum efficiency long-/long-wave dual-color type-Ⅱ InAs/GaSb infrared detector[J]. Chinese Physics B, 2019, 28 (03): 386-390.

[41]张静, 吕红亮, 倪海桥, 杨施政, 崔晓然, 牛智川, 张义门, 张玉明. Effects of growth temperature and metamorphic buffer on electron mobility of InAs film grown on Si substrate by molecular beam epitaxy[J]. Chinese Physics B, 2019, 28 (02): 428-433.

[42]常发冉, 郝瑞亭, 齐通通, 赵其琛, 刘欣星, 李勇, 顾康, 郭杰, 王国伟, 徐应强, 牛智川. High material quality growth of AlInAsSb thin films on GaSb substrate by molecular beam epitaxy[J]. Chinese Physics B, 2019, 28 (02): 449-453.

[43]谢圣文, 张宇, 杨成奥, 黄书山, 袁野, 张一, 尚金铭, 邵福会, 徐应强, 倪海桥, 牛智川. High performance GaSb based digital-grown InGaSb/AlGaAsSb mid-infrared lasers and bars[J]. Chinese Physics B, 2019, 28 (01): 411-414.

[44]李金伦, 崔少辉, 张静, 张振伟, 张博文, 倪海桥, 牛智川. 蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究[J]. 红外与激光工程, 2019, 48 (09): 132-138.

[45]张一, 邵福会, 杨成奥, 谢圣文, 黄书山, 袁野, 尚金铭, 张宇, 徐应强, 倪海桥, 牛智川. Room-temperature continuous-wave interband cascade laser emitting at 3.45 μm[J]. Chinese Physics B, 2018, 27 (12): 315-318.

[46]邵福会, 张一, 苏向斌, 谢圣文, 尚金铭, 赵云昊, 蔡晨元, 车仁超, 徐应强, 倪海桥, 牛智川. 1.3-μm InAs/GaAs quantum dots grown on Si substrates[J]. Chinese Physics B, 2018, 27 (12): 530-535.

[47]黄书山, 杨成奥, 张宇, 谢圣文, 廖永平, 柴小力, 徐应强, 牛智川. 利用高阶DBR实现简单的2.0μm GaSb激光器（英文）[J]. 红外与毫米波学报, 2018, 37 (06): 653-656.

[48]张静, 吕红亮, 倪海桥, 牛智川, 张义门, 张玉明. InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触（英文）[J]. 红外与毫米波学报, 2018, 37 (06): 679-682+687.

[49]尚向军, 马奔, 陈泽升, 喻颖, 查国伟, 倪海桥, 牛智川. 半导体自组织量子点量子发光机理与器件[J]. 物理学报, 2018, 67 (22): 133-141.

[50]张一, 张宇, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭, 黄书山, 袁野, 徐应强, 倪海桥, 牛智川. 3～4μm锑化物带间级联激光器研究进展(特邀)[J]. 红外与激光工程, 2018, 47 (10): 26-32.

[51]尚金铭, 张宇, 杨成奥, 谢圣文, 黄书山, 袁野, 张一, 邵福会, 徐应强, 牛智川. GaSb基光泵浦半导体碟片激光器的研究进展(特邀)[J]. 红外与激光工程, 2018, 47 (10): 33-41.

[52]马奔, 魏思航, 陈泽升, 尚向军, 倪海桥, 牛智川. Quantum frequency down-conversion of single photons at 1552 nm from single InAs quantum dot[J]. Chinese Physics B, 2018, 27 (09): 599-603.

[53]张静, 吕红亮, 倪海桥, 牛智川, 张玉明. Temperature dependence on the electrical and physical performance of InAs/AlSb heterojunction and high electron mobility transistors[J]. Chinese Physics B, 2018, 27 (09): 493-498.

[54]崔晓然, 吕红亮, 李金伦, 苏向斌, 徐应强, 牛智川. GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化（英文）[J]. 红外与毫米波学报, 2018, 37 (04): 385-388.

[55]杨成奥, 谢圣文, 黄书山, 袁野, 张一, 尚金铭, 张宇, 徐应强, 牛智川. 锑化物中红外单模半导体激光器研究进展[J]. 红外与激光工程, 2018, 47 (05): 15-22.

[56]谢圣文, 杨成奥, 黄书山, 袁野, 邵福会, 张一, 尚金铭, 张宇, 徐应强, 倪海桥, 牛智川. 2μm GaSb基大功率半导体激光器研究进展[J]. 红外与激光工程, 2018, 47 (05): 23-31.

[57]李翔, 汪宏, 乔忠良, 张宇, 徐应强, 牛智川, 佟存柱, 刘重阳. 2μm InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器理想因子的研究[J]. 红外与激光工程, 2018, 47 (05): 10-14.

[58]黄书山, 张宇, 杨成奥, 谢圣文, 徐应强, 倪海桥, 牛智川. 镀膜对2.0μm锑化物激光器性能的提升[J]. 中国激光, 2018, 45 (09): 201-204.

[59]李金伦, 崔少辉, 张振伟, 倪海桥, 牛智川. 蝶形天线增强的共振隧穿二极管太赫兹探测器研究[J]. 中国激光, 2018, 45 (08): 288-293.

[60]李金伦, 崔少辉, 徐建星, 崔晓然, 郭春妍, 马奔, 倪海桥, 牛智川. Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector[J]. Chinese Physics B, 2018, 27 (04): 367-372.

[61]李欢, 杨成奥, 谢圣文, 黄书山, 柴小力, 张宇, 王金良, 牛智川. 全息光刻制备LC-DFB及光栅刻蚀优化（英文）[J]. 红外与毫米波学报, 2018, 37 (02): 140-143+153.

[62]孙姚耀, 韩玺, 吕粤希, 郭春妍, 郝宏玥, 蒋志, 蒋洞微, 王国伟, 徐应强, 牛智川. 基于InAs/GaSb二类超晶格的中/长波双色红外探测器[J]. 航空兵器, 2018, (02): 56-59.

[63]李金伦, 崔少辉, 徐建星, 袁野, 苏向斌, 倪海桥, 牛智川. HEMT太赫兹探测器的二维电子气特性分析[J]. 红外与毫米波学报, 2017, 36 (06): 790-794.

[64]康炀东, 倪海桥, 张立春, 马赫, 詹锋, 牛智川. 钨摻杂氧化钒基非制冷红外探测器性能研究[J]. 广西大学学报(自然科学版), 2017, 42 (05): 1830-1834.

[65]李欢, 谢圣文, 张宇, 柴小力, 黄书山, 王金良, 牛智川. 1880nm侧向耦合分布反馈激光器的研究[J]. 应用激光, 2017, 37 (05): 727-731.

[66]孙姚耀, 吕粤希, 韩玺, 郭春妍, 蒋志, 郝宏玥, 蒋洞微, 王国伟, 徐应强, 牛智川. Performance of dual-band short-or mid-wavelength infrared photodetectors based on InGaAsSb bulk materials and InAs/GaSb superlattices[J]. Chinese Physics B, 2017, 26 (09): 530-533.

[67]薛永洲, 陈泽升, 倪海桥, 牛智川, 江德生, 窦秀明, 孙宝权. Resonantly driven exciton Rabi oscillation in single quantum dots emitting at 1300 nm[J]. Chinese Physics B, 2017, 26 (08): 189-192.

[68]徐建星, 李金伦, 魏思航, 马奔, 张翼, 张宇, 倪海桥, 牛智川. Optimization of wide band mesa-type enhanced terahertz photoconductive antenna at 1550 nm[J]. Chinese Physics B, 2017, 26 (08): 569-572.

[69]黄书山, 张宇, 廖永平, 杨成奥, 柴小力, 徐应强, 倪海桥, 牛智川. High-Power Single-Spatial-Mode GaSb Tapered Laser around 2.0 μm with Very Small Lateral Beam Divergence[J]. Chinese Physics Letters, 2017, 34 (08): 66-69.

[70]魏思航, 马奔, 陈泽升, 廖永平, 郝宏玥, 张宇, 倪海桥, 牛智川. Spectral dynamical behavior in two-section, quantum well,mode-locked laser at 1.064 μm[J]. Chinese Physics B, 2017, 26 (07): 127-133.

[71]魏思航, 尚向军, 马奔, 陈泽生, 廖永平, 倪海桥, 牛智川. Intracavity Spontaneous Parametric Down-Conversion in Bragg Reflection Waveguide Edge Emitting Diode[J]. Chinese Physics Letters, 2017, 34 (07): 88-92.

[72]邢恩博, 戎佳敏, 张宇, 佟存柱, 田思聪, 汪丽杰, 舒适立, 卢泽丰, 牛智川, 王立军. 2微米波段低发散角瓦级GaSb基宽区量子阱激光器（英文）[J]. 红外与毫米波学报, 2017, 36 (03): 280-282+288.

[73]柴小力, 张宇, 廖永平, 黄书山, 杨成奥, 孙姚耀, 徐应强, 牛智川. 高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSbⅠ型量子阱室温工作激光器（英文）[J]. 红外与毫米波学报, 2017, 36 (03): 257-260.

[74]郝宏玥, 向伟, 王国伟, 徐应强, 韩玺, 孙瑶耀, 蒋洞微, 张宇, 廖永平, 魏思航, 牛智川. Etching mask optimization of InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infared 640×512 focal plane array[J]. Chinese Physics B, 2017, 26 (04): 415-418.

[75]郭春妍, 徐建星, 彭红玲, 倪海桥, 汪韬, 田进寿, 牛智川, 吴朝新, 左剑, 张存林. 片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺[J]. 红外与毫米波学报, 2017, 36 (02): 220-224+234.

[76]郝瑞亭, 任洋, 刘思佳, 郭杰, 王国伟, 徐应强, 牛智川. GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面（英文）[J]. 红外与毫米波学报, 2017, 36 (02): 135-138.

[77]韩玺, 向伟, 郝宏玥, 蒋洞微, 孙姚耀, 王国伟, 徐应强, 牛智川. Very long wavelength infrared focal plane arrays with 50% cutoff wavelength based on type-Ⅱ In As/GaSb superlattice[J]. Chinese Physics B, 2017, 26 (01): 567-571.

[78]廖永平, 张宇, 杨成奥, 黄书山, 柴小力, 王国伟, 徐应强, 倪海桥, 牛智川. 大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器（英文）[J]. 红外与毫米波学报, 2016, 35 (06): 672-675.

[79]任洋, 郝瑞亭, 刘思佳, 郭杰, 王国伟, 徐应强, 牛智川. High Lattice Match Growth of InAsSb Based Materials by Molecular Beam Epitaxy[J]. Chinese Physics Letters, 2016, 33 (12): 137-141.

[80]牛秉慧, 闫腾飞, 倪海桥, 牛智川, 张新惠. Tuning of the Electron Spin Relaxation Anisotropy via Optical Gating in GaAs/AlGaAs Quantum Wells[J]. Chinese Physics Letters, 2016, 33 (10): 124-127.

[81]尚向军, 徐建星, 马奔, 陈泽升, 魏思航, 李密峰, 查国伟, 张立春, 喻颖, 倪海桥, 牛智川. Proper In deposition amount for on-demand epitaxy of InAs/GaAs single quantum dots[J]. Chinese Physics B, 2016, 25 (10): 452-458.

[82]任洋, 郝瑞亭, 刘思佳, 王国伟, 徐应强, 牛智川. PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究[J]. 云南师范大学学报(自然科学版), 2016, 36 (05): 44-49.

[83]蒋洞微, 向伟, 国凤云, 郝宏玥, 韩玺, 李晓超, 王国伟, 徐应强, 于清江, 牛智川. Low Crosstalk Three-Color Infrared Detector by Controlling the Minority Carriers Type of InAs/GaSb Superlattices for Middle-Long and Very-Long Wavelength[J]. Chinese Physics Letters, 2016, 33 (04): 155-158.

[84]董宇, 王广龙, 倪海桥, 裴康明, 乔中涛, 陈建辉, 高凤岐, 李宝晨, 牛智川. Short-wave infrared detector with double barrier structure and low dark current density[J]. Chinese Optics Letters, 2016, 14 (02): 87-91.

[85]裴康明, 詹锋, 倪海桥, 董宇, 牛智川. 共振隧穿二极管近红外探测器的电流抑制方法研究[J]. 激光与光电子学进展, 2016, 53 (02): 64-69.

[86]杨成奥, 张宇, 廖永平, 邢军亮, 魏思航, 张立春, 徐应强, 倪海桥, 牛智川. 2-μm single longitudinal mode GaSb-based laterally coupled distributed feedback laser with regrowth-free shallow-etched gratings by interference lithography[J]. Chinese Physics B, 2016, 25 (02): 185-189.

[87]武雪飞, 窦秀明, 丁琨, 周鹏宇, 倪海桥, 牛智川, 朱海军, 江德生, 赵翠兰, 孙宝权. Second-Order Correlation Function for Asymmetric-to-Symmetric Transitions due to Spectrally Indistinguishable Biexciton Cascade Emission[J]. Chinese Physics Letters, 2015, 32 (12): 69-73.

[88]苏丹, 窦秀明, 丁琨, 王海艳, 倪海桥, 牛智川, 孙宝权. 金纳米颗粒光散射提高InAs单量子点荧光提取效率[J]. 物理学报, 2015, 64 (23): 206-211.

[89]郝宏玥, 向伟, 王国伟, 徐应强, 任正伟, 韩玺, 贺振宏, 廖永平, 魏思航, 牛智川. Wet Chemical Etching of Antimonide-Based Infrared Materials[J]. Chinese Physics Letters, 2015, 32 (10): 106-109.

[90]王海艳, 苏丹, 杨爽, 窦秀明, 朱海军, 江德生, 倪海桥, 牛智川, 赵翠兰, 孙宝权. Au Microdisk-Size Dependence of Quantum Dot Emission from the Hybrid Metal-Distributed Bragg Reflector Structures Employed for Single Photon Sources[J]. Chinese Physics Letters, 2015, 32 (10): 138-141.

[91]董宇, 王广龙, 倪海桥, 陈建辉, 乔中涛, 裴康明, 李宝晨, 牛智川. 共振隧穿弱光探测器的分子束外延生长条件优化[J]. 中国激光, 2015, 42 (08): 358-364.

[92]杨爽, 丁琨, 窦秀明, 喻颖, 倪海桥, 牛智川, 江德生, 孙宝权. Bandgap Engineering in Wurtzite GaAs Nanowires by Hydrostatic Pressure[J]. Chinese Physics Letters, 2015, 32 (07): 192-194.

[93]杨爽, 窦秀明, 喻颖, 倪海桥, 牛智川, 江德生, 孙宝权. Single-Photon Emission from GaAs Quantum Dots Embedded in Nanowires[J]. Chinese Physics Letters, 2015, 32 (07): 195-198.

[94]董宇, 王广龙, 倪海桥, 陈建辉, 高凤岐, 王红培, 李宝晨, 牛智川. 倍增型共振隧穿弱光探测器的噪声性能研究[J]. 光电子•激光, 2015, 26 (07): 1260-1265.

[95]廖永平, 张宇, 邢军亮, 魏思航, 郝宏玥, 王国伟, 徐应强, 牛智川. High power laser diodes of 2 μm AlGaAsSb/InGaSb type I quantum-wells[J]. Journal of Semiconductors, 2015, 36 (05): 54-57.

[96]闫欣, 汪韬, 尹飞, 倪海桥, 牛智川, 辛丽伟, 田进寿. 低暗电流InGaAs-MSM光电探测器[J]. 光子学报, 2015, 44 (06): 89-93.

[97]向伟, 王国伟, 徐应强, 郝宏玥, 蒋洞微, 任正伟, 贺振宏, 牛智川. 中波InAs/GaSb超晶格红外焦平面探测器[J]. 航空兵器, 2015, (01): 49-51.

[98]董宇, 王广龙, 王红培, 倪海桥, 陈建辉, 高凤岐, 乔中涛, 杨晓红, 牛智川. Resonant cavity-enhanced quantum dot field-effect transistor as a single-photon detector[J]. Chinese Physics B, 2014, 23 (10): 166-171.

[99]王国伟, 徐应强, 牛智川. 新型低维结构锑化物红外探测器的研究与挑战[J]. 中国科学:物理学力学天文学, 2014, 44 (04): 368-389.

[100]王海艳, 窦秀明, 倪海桥, 牛智川, 孙宝权. 等离子体增强InAs单量子点荧光辐射的研究[J]. 物理学报, 2014, 63 (02): 304-308.

[101]李密锋, 倪海桥, 丁颖, Bajek David, Kong Liang, Cataluna Maria Ana, 牛智川. Optimization of InAs/GaAs quantum-dot structures and application to 1.3-μm mode-locked laser diodes[J]. Chinese Physics B, 2014, 23 (02): 516-521.

[102]邢军亮, 张宇, 徐应强, 王国伟, 王娟, 向伟, 倪海桥, 任正伟, 贺振宏, 牛智川. High quality above 3-μm mid-infrared InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy[J]. Chinese Physics B, 2014, 23 (01): 458-461.

[103]王国伟, 向伟, 徐应强, 张亮, 彭振宇, 吕衍秋, 司俊杰, 王娟, 邢军亮, 任正伟, 牛智川. Growth and fabrication of a mid-wavelength infrared focal plane array based on type-II InAs/GaSb superlattices[J]. Journal of Semiconductors, 2013, 34 (11): 78-82.

[104]王红培, 王广龙, 喻颖, 徐应强, 倪海桥, 牛智川, 高凤岐. 内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气特性分析[J]. 物理学报, 2013, 62 (20): 1-6.

[105]王红培, 王广龙, 倪海桥, 徐应强, 牛智川, 高凤岐. 新型量子点场效应增强型单光子探测器[J]. 物理学报, 2013, 62 (19): 235-240.

[106]杨晓红, 刘少卿, 倪海桥, 李密峰, 李亮, 韩勤, 牛智川. High Quality Pseudomorphic In_(0.24) GaAs/GaAs Multi-Quantum-Well and Large-Area Transmission Electro-Absorption Modulators[J]. Chinese Physics Letters, 2013, 30 (04): 137-139.

[107]王国伟, 牛智川, 徐应强, 王娟, 邢军亮. 长波段InAs/GaSb超晶格材料的分子束外延研究[J]. 航空兵器, 2013, (02): 33-37.

[108]史衍丽, 何雯瑾, 张卫锋, 王羽, 袁俊, 莫境辉, 冯江敏, 胡锐, 邓功荣, 徐应强, 牛智川. 新型Sb基二类超晶格红外探测器[J]. 红外与激光工程, 2012, 41 (12): 3141-3144.

[109]陈燕, 邓爱红, 汤宝, 王国伟, 徐应强, 牛智川. 掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性[J]. 红外与毫米波学报, 2012, 31 (04): 298-301.

[110]张宇, 王永宾, 徐应强, 徐云, 牛智川, 宋国峰. High-temperature(T = 80℃) operation of a 2μm InGaSb-AlGaAsSb quantum well laser[J]. 半导体学报, 2012, 33 (04): 57-58.

[111]詹锋, 贺继方, 尚向军, 李密锋, 倪海桥, 徐应强, 牛智川. An effective reflectance method for designing broadband antireflection films coupled with solar cells[J]. Chinese Physics B, 2012, 21 (03): 458-462.

[112]魏全香, 吴兵朋, 任正伟, 贺振宏, 牛智川. 双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究[J]. 光学学报, 2012, 32 (01): 262-267.

[113]朱岩, 倪海桥, 王海莉, 贺继方, 李密峰, 尚向军, 牛智川. Study of metamorphic InGaAs/GaAs quantum well laser materials grown on GaAs substrate by molecular beam epitaxy[J]. Optoelectronics Letters, 2011, 7 (05): 325-329.

[114]徐应强, 汤宝, 王国伟, 任正伟, 牛智川. 2～5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器[J]. 红外与激光工程, 2011, 40 (08): 1403-1406.

[115]朱岩, 李密锋, 贺继方, 喻颖, 倪海桥, 徐应强, 王娟, 贺振宏, 牛智川. GaAs-based long-wavelength InAs bilayer quantum dots grown by molecular beam epitaxy[J]. 半导体学报, 2011, 32 (08): 10-13.

[116]王莉娟, 詹峰, 俞颖, 朱岩, 刘少卿, 黄社松, 倪海桥, 牛智川. Influence of window layer thickness on double layer antireflection coating for triple junction solar cells[J]. 半导体学报, 2011, 32 (06): 137-140.

[117]贺继方, 尚向军, 李密锋, 朱岩, 常秀英, 倪海桥, 徐应强, 牛智川. Influence of growth temperatures on the quality of InGaAs/GaAs quantum well structure grown on Ge substrate by molecular beam epitaxy[J]. 半导体学报, 2011, 32 (04): 41-45.

[118]李园, 窦秀明, 常秀英, 倪海桥, 牛智川, 孙宝权. 基于InAs单量子点的单光子干涉[J]. 物理学报, 2011, 60 (03): 755-758.

[119]王秀平, 杨晓红, 韩勤, 鞠研玲, 杜云, 朱彬, 王杰, 倪海桥, 贺继方, 王国伟, 牛智川. 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究[J]. 物理学报, 2011, 60 (02): 176-180.

[120]李园, 窦秀明, 常秀英, 倪海桥, 牛智川, 孙宝权. InAs单量子点中级联辐射光子的关联测量[J]. 物理学报, 2011, 60 (01): 693-697.

[121]贺继方, 牛智川, 常秀英, 倪海桥, 朱岩, 李密锋, 尚向军. Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate[J]. Chinese Physics B, 2011, 20 (01): 651-656.

[122]牛智川, 孙宝权, 窦秀明, 熊永华, 王海莉, 倪海桥, 李树深, 夏建白. 半导体InAs量子点单光子发射器件[J]. 物理, 2010, 39 (11): 737-745.

[123]常秀英, 窦秀明, 孙宝权, 熊永华, 倪海桥, 牛智川. 电场调谐InAs单量子点的发光光谱[J]. 物理学报, 2010, 59 (06): 4279-4282.

[124]郝瑞亭, 申兰先, 邓书康, 杨培志, 涂洁磊, 廖华, 徐应强, 牛智川. MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜[J]. 功能材料, 2010, 41 (04): 734-736.

[125]郭杰, 彭震宇, 鲁正雄, 孙维国, 郝瑞亭, 周志强, 许应强, 牛智川. GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究[J]. 红外与毫米波学报, 2009, 28 (03): 165-167+228.

[126]窦秀明, 孙宝权, 黄社松, 倪海桥, 牛智川, 杨富华, 贾锐. Size dependence of biexciton binding energy in single InAs/GaAs quantum dots[J]. Chinese Physics B, 2009, 18 (06): 2258-2263.

[127]郭杰, 孙维国, 彭震宇, 周志强, 徐应强, 牛智川. InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱[J]. 红外与激光工程, 2009, 38 (02): 278-281.

[128]鞠研玲, 杨晓红, 韩勤, 杜云, 倪海桥, 黄社松, 王鹏飞, 贺继方, 牛智川. 可用于弱光探测器的量子线研究进展[J]. 半导体光电, 2009, 30 (01): 11-15.

[129]徐玉峰, 黄永清, 黄辉, 倪海桥, 牛智川, 任晓敏. 1.3μm InGaNAs/GaAs多量子阱“一镜斜置三镜腔”光探测器[J]. 光电子.激光, 2009, 20 (01): 12-15.

[130]魏全香, 任正伟, 贺振宏, 牛智川. Evolution of surface morphology and photoluminescence characteristics of 1.3-μm In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy[J]. Chinese Optics Letters, 2009, 7 (01): 52-55.

[131]王鹏飞, 熊永华, 吴兵朋, 倪海桥, 黄社松, 牛智川. 异变生长GaAs基长波长InAs垂直耦合量子点[J]. 半导体技术, 2008, 33 (S1): 55-58.

[132]方志丹, 崔碧峰, 黄社松, 倪海桥, 邢艳辉, 牛智川. 单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备[J]. 功能材料与器件学报, 2008, (05): 915-918.

[133]郭杰, 孙维国, 陈慧娟, 彭震宇, 鲁正雄, 郝瑞亭, 周志强, 许应强, 牛智川. 生长温度对InAs/GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响[J]. 功能材料, 2008, (10): 1605-1607.

[134]黄社松, 牛智川, 詹锋, 倪海桥, 赵欢, 吴东海, 孙征. High-density and narrow size-distribution InAs quantum dots formed by a modified two-step growth[J]. Chinese Physics B, 2008, 17 (01): 323-327.

[135]郝瑞亭, 徐应强, 周志强, 任正伟, 牛智川. GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长[J]. 半导体学报, 2007, (07): 1088-1091.

[136]彭红玲, 韩勤, 杨晓红, 牛智川. 1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计[J]. 物理学报, 2007, (02): 863-870.

[137]牛智川, 黄社松, 龚政, 方志丹, 倪海桥, 孙宝权, 李树深, 夏建白. 新奇半导体低维结构的自组织生长[J]. 物理, 2006, (08): 654-658.

[138]韩勤, 牛智川, 倪海桥, 张石勇, 杨晓红, 杜云, 佟存柱, 赵欢, 徐应强, 彭红玲, 吴荣汉. Room temperature continuous wave operation of 1.33-um InAs/GaAs quantum dot laser with high output power[J]. Chinese Optics Letters, 2006, (07): 413-415.

[139]韩勤, 彭红玲, 杜云, 倪海桥, 赵欢, 牛智川, 吴荣汉. 1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器[J]. 光子学报, 2006, (04): 549-551.

[140]牛智川, 倪海桥, 方志丹, 龚政, 张石勇, 吴东海, 孙征, 赵欢, 彭红玲, 韩勤, 吴荣汉. 1•3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长(英文)[J]. 半导体学报, 2006, (03): 482-488.

[141]李永平, 田强, 牛智川. GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究[J]. 量子电子学报, 2005, (06): 923-926.

[142]孔令民, 蔡加法, 陈厦平, 朱会丽, 吴正云, 牛智川. 多层InA s量子点的光致发光研究[J]. 半导体光电, 2005, (06): 519-522+526.

[143]方志丹,龚政,苗振华,牛智川,沈光地. In_(0.2)Ga_(0.8)As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3μm InAs/GaAs自组织量子点[J]. 红外与毫米波学报, 2005, (05): 324-327.

[144]苗振华,徐应强,张石勇,吴东海,赵欢,牛智川. 快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响[J]. 半导体学报, 2005, (09): 1749-1752.

[145]牛智川,韩勤,倪海桥,杨晓红,徐应强,杜云,张石勇,彭红玲,赵欢,吴东海,李树英,贺振宏,任正伟,吴荣汉. 1.3μmGaAs基GaInNAs量子阱生长与激光器研制(英文)[J]. 半导体学报, 2005, (09): 1860-1864.

[146]屈玉华,江德生,边历峰,孙征,牛智川,徐晓华. GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光[J]. 发光学报, 2005, (04): 507-512.

[147]佟存柱,牛智川,韩勤,吴荣汉. 1.3μm GaAs基量子点垂直腔面发射激光器结构设计与分析[J]. 物理学报, 2005, (08): 3651-3656.

[148]彭红玲,章昊,韩勤,杨晓红,杜云,倪海桥,佟存柱,牛智川,郑厚植,吴荣汉. 1064nm RCE探测器光电响应特性分析[J]. 半导体学报, 2005, (08): 1605-1609.

[149]佟存柱,韩勤,彭红玲,牛智川,吴荣汉. 氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析[J]. 半导体学报, 2005, (07): 1459-1463.

[150]马宝珊,王晓东,骆军委,苏付海,方再利,丁琨,牛智川,李国华. 大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱[J]. 红外与毫米波学报, 2005, (03): 207-212.

[151]徐晓华,牛智川,倪海桥,徐应强,张纬,贺正宏,韩勤,吴荣汉,江德生. 分子束外延生长的(GaAs_(1-x)Sb_x In_yGa_(1-y)As)GaAs量子阱光致发光谱研究[J]. 物理学报, 2005, (06): 2950-2954.

[152]孙彦,方志丹,龚政,苗振华,牛智川. 分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性[J]. 人工晶体学报, 2005, (02): 384-386.

[153]董庆瑞,牛智川. 垂直耦合自组织InAs双量子点中激子能的计算[J]. 物理学报, 2005, (04): 1794-1798.

[154]杨晓红,梁琨,韩勤,牛智川,杜云,吴荣汉. 超薄有源层谐振腔增强型调制器[J]. 光子学报, 2004, (10): 1196-1199.

[155]苗振华,龚政,方志丹,倪海侨,牛智川. GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制[J]. 红外, 2004, (09): 1-5.

[156]倪海桥,徐晓华,张纬,徐应强,牛智川,吴荣汉. N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响[J]. 物理学报, 2004, (05): 1474-1482.

[157]魏全香,牛智川. 原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌[J]. 半导体光电, 2004, (02): 162-164.

[158]蔡加法,孔令民,吴正云,陈主荣,牛智川. 自组织生长InAs量子点的发光性质研究[J]. 厦门大学学报(自然科学版), 2003, (06): 732-735.

[159]孔令民,蔡加法,陈主荣,吴正云,牛智川. 自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究[J]. 量子电子学报, 2003, (02): 208-212.

[160]张瑞康,杨晓红,周震,徐应强,张玮,杜云,黄永清,任晓敏,牛智川,吴荣汉. 微机械可调谐滤波器的研制(英文)[J]. 半导体学报, 2003, (04): 347-350.

[161]周大勇,澜清,孔云川,苗振华,封松林,牛智川. 原子氢辅助分子束外延生长台阶状表面形貌的研究[J]. 半导体学报, 2003, (02): 148-152.

[162]李永平,澜清,吴正龙,周大勇,孔云川,牛智川,田强,杨锡震,王亚非. GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAs生长温度的影响[J]. 半导体学报, 2003, (02): 168-172.

[163]孔云川,周大勇,澜清,刘金龙,苗振华,封松林,牛智川. 1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究[J]. 人工晶体学报, 2002, (06): 551-554.

[164]金光生,艾合买提•阿不力孜,李树深,牛智川,杨富华,封松林. 固态量子计算[J]. 物理, 2002, (12): 773-778.

[165]澜清,周大勇,孔云川,边历峰,苗振华,江德生,牛智川,封松林. 1.55μm波长发光的自组织InAs量子点生长[J]. 人工晶体学报, 2002, (05): 464-467.

[166]李永平,田强,牛智川,杨锡震,吴正龙,王亚非. GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究[J]. 北京师范大学学报(自然科学版), 2002, (04): 474-477.

[167]潘留仙,刘金龙,李树深,牛智川,封松林,郑厚植. InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率[J]. 中国科学(A辑), 2002, (06): 556-559.

[168]潘留仙 ,牛智川 ,郑厚植 ,李树深 ,封松林 ,刘金龙. Dephasing rate in an InAs/GaAs single-electron quantum dot qubit[J]. Science in China,Ser.A, 2002, (05): 666-670.

[169]钟源,黄永清,任晓敏,牛智川,吴荣汉. 平顶陡边响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的分析[J]. 半导体光电, 2002, (01): 8-11.

[170]汪辉,牛智川,王海龙,王晓东,封松林. InAs/GaAs自组织量子点激发态的激射[J]. 半导体学报, 2001, (03): 295-298.

[171]牛智川,王晓东,苗振华,封松林. InGaAs/GaAs自组织量子点光致发光特性研究[J]. 红外与毫米波学报, 2001, (01): 20-24.

[172]王晓东,刘会赟,牛智川,封松林. 不同组分In_xGa_(1-x)As(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响[J]. 物理学报, 2000, (11): 2230-2234.

[173]汪辉,王海龙,王晓东,牛智川,封松林. 生长停顿对量子点激光器的影响[J]. 红外与毫米波学报, 2000, (05): 347-350.

[174]王晓东,汪辉,王海龙,牛智川,封松林. 低温GaAs外延层上生长InAs量子点的研究[J]. 红外与毫米波学报, 2000, (03): 177-180.

[175]牛智川,周增圻,潘钟,吴荣汉. 可用于器件的侧墙GaAs量子线列阵结构[J]. 半导体学报, 1999, (04): 46-50+90.

[176]牛智川,袁之良,周增圻,徐仲英,王守武. GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究[J]. 半导体学报, 1998, (11): 72-77.

[177]程文超,张子平,李国华,牛智川,徐仲英. GaAs/AlAs脊形量子线的光学研究[J]. 半导体学报, 1998, (08): 72-75.

[178]牛智川,周增圻,吴荣汉,封松林,Ｒ．ＮＯＥＴＺＥＬ,Ｕ．ＪＡＨＮ,Ｋ．Ｈ．ＰＬＯＯＧ. GaAs均匀点状结构的分子束外延图形生长[J]. 物理学报, 1998, (08): 117-124.

[179]牛智川,周增圻,吴荣汉. 氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响[J]. 半导体学报, 1998, (05): 8-12.

[180]牛智川,周增圻,韩勤,吴荣汉. 三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化[J]. 半导体学报, 1998, (04): 72-76+85.

[181]牛智川,周增圻,林耀望,李新峰,张益,胡雄伟,吕振东,袁之良,徐仲英. InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究[J]. 物理学报, 1997, (05): 138-143.

[182]牛智川，黎健. MBE生长轻掺硅GaAs材料光荧光谱杂质特性研究[J]. 固体电子学研究与进展, 1996, (02): 133-136.

[183]牛智川，周增圻，林耀望，周帆，潘昆，张子莹，祝亚芹，王守武. GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究[J]. 半导体学报, 1996, (03): 227-230+242.

[184]牛智川，周增圻，林耀望，李朝勇. MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究[J]. 半导体学报, 1995, (12): 897-900.

[185]吴荣汉，周增圻，林耀望，潘钟，黄永箴，李朝勇，牛智川，王圩. 亚毫安室温连续工作InGaAs垂直腔面发射激光器[J]. 高技术通讯, 1995, (09): 24-26.

发表会议论文

[1]戴德琰,陈益航,刘汗青,苏向斌,尚向军,徐建星... & 牛智川. (2024). 具有高动态范围的InP基太赫兹光电导天线. (eds.) 2024年全国微波毫米波会议论文汇编（下册） (pp.759-761). 中国科学院半导体研究所光电子材料与器件重点实验室;中国科学院大学材料与光电研究中心;中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心;中国工程物理研究院电子工程研究所;

[2]杨成奥,谢圣文,张一,尚金铭,袁野,张宇... & 牛智川. (2019). 2～4μm锑化物中红外半导体激光器研究. (eds.) 全国第十七届红外加热暨红外医学发展研讨会论文及论文摘要集 (pp.285). 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室;

[3]李欢, 谢圣文, 张宇, 柴小力, 黄书山, 王金良 & 牛智川. (2017). 1880nm侧向耦合分布反馈激光器的研究. (eds.) 第五届激光先进制造技术应用研讨会会议手册 (pp.59-66). 北京航空航天大学物理与核能工程学院;中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室;中国科学院大学材料科学与光电技术学院;

[4]牛智川,李密锋,喻颖,査国伟,王莉娟,王国伟... & 倪海桥. (2012). 半导体自组织纳米结构的分子束外延生长与量子器件制备. (eds.) 中国真空学会2012学术年会论文摘要集 (pp.60). 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室;

[5]邢军亮,张宇,王国伟,王娟,任正伟,徐应强... & 牛智川. (2012). 高温(80℃)连续激射2μm波段锑化物量子阱激光器. (eds.) 第十届全国光电技术学术交流会论文集 (pp.209-210). 超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所;纳米光电子实验室,中国科学院半导体研究所;

[6]王国伟, 王娟, 邢军亮, 徐应强, 任正伟, 贺振宏 & 牛智川. (2012). 中长波InAs/GaSb超晶格材料及探测器研究. (eds.) 第十届全国光电技术学术交流会论文集 (pp.96-97). 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室;

[7]史衍丽, 何雯瑾, 张卫锋, 胡锐, 邓功荣, 徐应强 & 牛智川. (2012). 新型Sb基二类超晶格红外探测器. (eds.) 第十届全国光电技术学术交流会论文集 (pp.112-115). 昆明物理研究所;中科院半导体研究所;

[8]朱岩, 倪海桥, 王海莉, 贺继方, 李密峰, 尚向军 & 牛智川. (2010). GaAs基异变量子阱. (eds.) 中国光学学会2010年光学大会论文集 (pp.2976-2984). 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室;

[9]王鹏飞, 熊永华, 吴兵朋, 倪海桥, 黄社松 & 牛智川. (2008). 异变生长GaAs基长波长InAs垂直耦合量子点. (eds.) 第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集 (pp.59-62). 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室;

[10]牛智川, 窦秀明, 熊永华, 王海莉, 黄社松, 倪海桥 & 孙宝权. (2008). 半导体量子点单光子发射器件. (eds.) 中国真空学会2008年学术年会论文摘要集 (pp.49). 中国科学院半导体研究所;

[11]朱汇,郑厚植,李桂荣,牛智川,曾一平,张飞... & 谈笑天. (2007). 三势垒双阱隧穿结构中调控发射阱中的电子积累对电子共振隧穿特性的影响. (eds.) 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集 (pp.111). 中国科学院半导体研究所;

[12]朱汇,郑厚植,李桂荣,牛智川,曾一平,张飞... & 谈笑天. (2007). 三势垒隧穿结构中的高峰谷比光生空穴共振隧穿. (eds.) 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集 (pp.111-112).

[13]郝瑞亭, 徐应强, 周志强, 任正伟 & 牛智川. (2007). 2～3μm GaAs基InAs/GaSb超晶格材料. (eds.) 2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会论文集 (pp.41-43).

[14]赵欢,彭红玲,佟存柱,倪海桥,张石勇,吴东海... & 吴荣汉. (2005). 室温连续激射1.3μm InAs/GaAs量子点激光器. (eds.) 光电技术与系统文选——中国光学学会光电技术专业委员会成立二十周年暨第十一届全国光电技术与系统学术会议论文集 (pp.178-182).

[15]徐应强, 彭红玲, 杨晓红, 倪海桥, 韩勤, 牛智川 & 吴荣汉. (2005). 1.5μm GaInNAs/GaAs多量子阱共振腔增强探测器. (eds.) 光电技术与系统文选——中国光学学会光电技术专业委员会成立二十周年暨第十一届全国光电技术与系统学术会议论文集 (pp.724-728).

[16]牛智川,王晓东,汪辉,孔云川,澜清,周大勇... & 封松林. (2001). In_xGa_(1-x)As/GaAs自组织量子点材料、物理与器件. (eds.) 2001年纳米和表面科学与技术全国会议论文摘要集 (pp.12-13).

媒体报道：

1 锑化物半导体开拓先锋——记中国科学院半导体研究所研究员牛智川李莉;王辉科学中国人 2023-09-25 特色期刊

2 中国科学院半导体研究所研究员牛智川:量子卫星厚积薄发任重道远倪伟波科学新闻2016-05-25 期刊

3 牛智川：让梦想照进现实张强科技日报2007-01-23 报纸

4 自主创新,推动前沿学科发展——记中科院半导体研究所研究员牛智川白杨科学中国人 2006-01-30 特色期刊

锑化物半导体开拓先锋

——记中国科学院半导体研究所研究员牛智川

2023-10-08

半导体，与计算机、原子能、激光科技并称为当代科技文明标志性四大领域。半导体科技经过约70年的发展，科学理论不断完善，材料器件应用日益广泛，已经成为世界各大国强盛的战略根基。我国科技界将半导体材料体系的拓展称为三代半导体，也就是硅或锗基、砷化镓或磷化铟基、氮化镓或碳化硅基材料三大体系。基于这三代（类）半导体形成的大规模集成电路与计算机技术、高速光纤通信与互联网技术、高功率电力电子与能源技术等诸多重大战略应用价值方向，不断推动现代信息技术、能源技术以及人工智能技术的进步和发展。

▲牛智川参加锑化物半导体技术成果合作发展座谈会

囿于时代背景和工业基础，我国的第一代、第二代半导体科技水平长期落后于人。进入21世纪后，半导体科技发展规划全面步入国家战略层面。2020年9月4日，一则“我国将把大力发展第三代半导体产业写入‘十四五’规划”的消息，更是引发市场对功率半导体的瞩目，以氮化镓、碳化硅为首的第三代半导体材料一时间风光无限。当前，伴随量子信息、可再生能源、人工智能等高新技术的迅速涌现和发展，持续催生和驱动半导体新体系微电子、光电子、磁电子、热电子等多功能器件技术的涌现。特别是信息技术向智能化、量子化迈进的重要时期，基于经典的前三代半导体深入挖掘其潜力的同时，也需要开拓新体系、新结构、新功能半导体材料，以满足不断增长的高性能、低成本芯片的需求。在牛智川看来，以Ga2O3超宽带隙半导体、锑化物窄带隙半导体、二维原子晶体低维半导体等为核心体系的多种新材料技术中，新型锑化物半导体材料在开拓量子拓扑新效应、推动红外器件制备技术变革两方面占有战略先机地位，是近20年来，国内外半导体材料研究领域呈现出绝无仅有的兼具基础研究科学意义和确定性重大应用前景的新材料体系，作为在相关研究方向走在全球前列的团体之一，中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队领衔了我国锑化物半导体的开拓与发展。

走近锑化物半导体

什么是锑化物半导体？在回答这个问题之前，先来认识一下半导体。顾名思义，半导体就是指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。相比导体和绝缘体，半导体的发现是最晚的，但也可以追溯到19世纪上半叶。

1833年，英国科学家、“电子学之父”法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，即随着温度升高，电阻率指数会减小，这是半导体现象的首次发现，也是半导体被发现的第一个特性。6年后，年仅19岁的法国物理学家亚历山大•贝克勒尔发现，半导体和电解质接触形成的结在光照下会产生电压，也就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是半导体被发现的第二个特性。1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体被发现的第三种特性。次年，德国航天工程师布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体被发现的第四种特性。

虽然半导体的这4个特性在1880年以前就先后被发现了，但“半导体”这个名字直到1911年才被考尼白格和维斯首次使用，而总结出半导体的这4个特性的工作一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。也是在这一年，因为锗材料晶体管的诞生，让半导体材料真正走上了历史舞台。尽管这时距离半导体的第一个特性被发现已经过去了100多年，但在其后几十年间，半导体几乎引领了整个信息化、数字化时代的发展。

“半导体已经从‘20世纪四大发明’之一发展成一个全人类的战略性支柱领域。我们现在所有的信息化、数字化、智能化设备都离不开半导体。”牛智川说道。

利用半导体制造的晶体管是芯片的最小单位，也是电子信息设备的基础元件。在牛智川看来，半导体科学成为信息时代的战略性科技领域，首先得益于20世纪初量子理论在固态体系中的衍生发展与深入完善，同时又依赖于半导体制造技术的创新迭代与产业应用。

纵观半导体100多年发展历程会发现，半导体技术一共历经了3代更迭，而这里的代际主要是根据半导体制造材料来划分的。

第一代半导体的材料是Ⅳ族硅（Si）/ 锗（Ge）体系。在20世纪90年代之前，以硅材料为主的半导体占绝对的统治地位。直到目前，半导体器件和集成电路仍然主要是用硅晶体材料制造的，硅器件占了全球销售的所有半导体产品的95％以上。

第二代半导体的材料是Ⅲ-Ⅴ族砷化镓（GaAs）/磷化铟（InP）体系。随着以光通信为基础的信息高速公路的崛起和社会信息化的发展，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料崭露头角，由它制造的半导体激光器更是成为光通信系统中的关键器件，同时砷化镓高速器件也开拓了光纤及移动通信的新产业。

第三代半导体材料即为Ⅲ-Ⅴ族的氮化镓（GaN）/碳化硅（SiC）体系，这也是当前全球战略竞争的制高点、我国重点扶持的行业。相比前两代半导体，第三代半导体材料具有更大的禁带宽度，可以满足现代电子科技对高温、高压、高功率、高频及高辐射等恶劣环境的要求，在航空、航天、光伏、汽车制造、通信、智能电网等前沿行业中拥有大规模应用前景，但仍然面临着单晶生长时间长、技术门槛高、成本高、良率低等诸多问题。

“虽然前三代经典半导体技术持续发展，但已经呈现出难以满足新需求的严重问题，特别是难以同时满足高性能、低成本的苛刻要求。”在牛智川看来，随着量子信息、绿色能源、人工智能等高新技术的不断涌现，开拓更新一代半导体技术是大势所趋。“在光电子、量子、物联、智能等技术需求的强烈驱动下，半导体技术将从硅基半导体主导的微电子时代迈向微电子与光电子半导体技术并重新时代。”而在这种情况下，以Ⅲ-Ⅴ族半导体为核心的光电子材料新一代技术的研究更加重要。

牛智川介绍，目前的新型半导体技术最具发展潜力的体系主要包括：窄带隙的锑化镓/铟化砷化合物半导体、超宽带隙的铝氮化合物和氧化镓材料以及各类低维材料如碳基纳米材料、二维原子晶体材料等。其中，锑化物半导体在凝聚态基础物理方面的研究内涵十分丰富且深刻，在光电器件技术领域尤其是宽谱域覆盖的红外光电芯片方向具有打破传统红外材料的诸多瓶颈，实现全面替代的重大应用前景，当之无愧占据了第四代半导体的核心地位。

“锑化物半导体在开发下一代的红外光电器件方向，具有小体积、轻重量、低功耗、低成本器件及能满足要求极为苛刻的应用等独特优势。”牛智川介绍，锑化物半导体材料主要优势有3点：一是相应的带隙能量覆盖了近红外到数十微米长波的整个红外区域；二是其为当前唯一可以在所有红外波段实现高性能多波段探测和发光光电器件的半导体材料；三是其与现有商用半导体光电器件工艺技术具有高度兼容性，应用性强。

正是因此，从21世纪初开始，锑化物半导体就得到了广泛重视，并从2009年起国外就将锑化物半导体相关的材料和器件列为出口封锁和垄断技术。作为当今世界的战略性支柱产业，半导体的发展直接影响现代信息社会发展的水平，可以说，谁能掌握下一代半导体器件工艺技术谁就拥有了新时期国际话语权。在此形势下，从2005年起，中国科学院半导体研究所聚焦锑化物半导体体系，组织了以牛智川研究员为带头人的研究团队，开始了艰难的自主研发攻关旅程，而他们的立足点就是锑化物半导体红外光电技术的研究。

▲牛智川在纪念黄昆诞辰100周年暨半导体学科发展会议上作报告

十年磨一剑，开启国产锑化物半导体光电芯片发展新路

2020年年初的一场疫情，让一种非接触式测温设备——红外体温检测仪走到台前，成为各个国家关注的产品，一颗小小的红外测温探测器亦在一夜之间“一芯难求”。

“高于绝对零度（0K，即-273.15℃）的物质都可以产生红外线，获取红外线其实也就是拓展人眼的观察能力。比如，到了晚上一般我们就看不见东西了，但只要有温度的物体就会辐射红外光，通过半导体红外光学器件我们就能看到，自然就拓展了人类的观察能力。”牛智川说道。

人类的科技进步史，其实也是一部寻找光明未来的探索史。正常情况下，一般人的眼睛可以感知的电磁波的频率在380～750THz，波长在780～400nm之间，也有人可以感知到频率在340～790THz，波长在880～380nm之间的电磁波。而红外线波长在760nm～1mm之间，是一种肉眼看不到的光。

红外热成像技术发展最早始于美国，并长期运用在各类装备领域，是西方发达国家多年来施行制裁和核心技术封锁的重要手段。过去，欧美等国家长期对我国实行核心技术封锁，红外成像光电芯片技术也成为名副其实的“卡脖子”技术。经过几十年的发展，我国国产红外探测器性能取得长足进步，但整体上仍旧与国外最先进技术存在代际差异。当前，中国科学院半导体研究所牛智川团队率先在锑化物新体系材料方向积极探索，为我国半导体科技界及时把握锑化物半导体器件技术发展机遇、为高性能红外光电芯片形成迭代生态的持续性技术突破直至超越，起到了引领和推动作用。他们在锑化物半导体微纳材料、红外光电器件方向的全方位开拓发展，成为我国基于锑化物半导体实现高端红外光电芯片国产化全链条制造技术的引领者。

2005年，德国弗劳恩霍夫协会应用固体物理研究所首次为欧洲新一代大型运输机A400M研发了锑化物砷化铟（InAs）/锑化镓（GaSb）超晶格中波双波段红外焦平面芯片，第一次为锑化物半导体材料的器件应用完成了实用性验证，证明了早年理论上预计锑化物超晶格是理想红外材料的预言，这极大地引发了各国针对锑化物半导体红外光电技术的研究热情。

这一新动向被牛智川团队敏锐地捕捉到，他们迅速组织研究力量，利用有限的研究经费改造20世纪80年代购置的老旧外延设备，由此艰难起步，开启了锑化物半导体材料外延及其物理性质和原型器件的艰难探索。

在没有现成国外研发技术参考并受到国际严密原材料封锁的情况下，牛智川团队充分利用中国科学院半导体研究所数十年来在超晶格物理研究的雄厚基础，从理论计算研究入手，通过改造商用的分子束外延设备，在国产2英寸直径高质量GaSb单晶衬底晶圆上实现了锑化物半导体红外探测与激光材料的高质量外延，系统性研究突破了锑化物半导体外延材料及其红外光电芯片关键技术，并由此带动了中国科学院半导体研究所锑化镓大尺寸单晶衬底的制造技术突破国外封锁。

这十几年间，牛智川团队曾用两年探索成功大失配GaSb过渡材料的外延技术，实现锑化物外延超晶格结构的高质量生长，实现了GaAs衬底上外延GaSb材料的高质量材料，此性能迄今为止依然是已有报道中的最好结果之一。

牛智川团队还进一步结合GaSb缓冲层位错过滤技术降低大失配位错，最终成功实现了不同周期厚度的近红外和中红外锑化物超晶格半导体材料，第一次开发了2μm波段的锑化物超晶格探测器，这是国际上首次基于锑化物开发超晶格近红外光电器件，更是国内第一次获得的锑化物材料体系的红外探测器。

在国外停止对中国出口GaSb衬底的困难时期，半导体研究所材料室研究团队在较短时间内独立开发了2英寸开盒即用外延级GaSb衬底并实现了小批量生产，此后又扩大到4英寸，产品性能接近国际水平，实现了材料国产化目标。

同时，牛智川团队还设计制备了锑化物InGaAsSb量子阱中波红外激光器，首先实现2μm锑化物量子阱激光器的室温连续激射，并实现了第一只2μm分布反馈式（DFB）窄线宽激光器的室温连续激射。

不仅如此，牛智川团队还成立了国际上第一个专门针对锑化物体系的研发中心——锑化物窄带隙半导体研究中心，极大地推动了锑化物半导体从基础理论、单晶衬底、外延材料、核心器件与系统集成的全链条技术的发展和研发能力的大幅度提高……

十余年磨一剑——牛智川团队在锑化物半导体光电器件性能上的突破，成为推动我国相关单位针对锑化物半导体新体系开发红外器件应用的技术源泉。自2009年起，牛智川团队先后为中国洛阳光电器件研究所、昆明物理研究所、华北光电研究所、中国科学院上海技术物理研究所、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、中国科学院物理研究所、哈尔滨工业大学、南京大学、复旦大学、首都师范大学、中国科技大学、武汉高德红外股份有限公司等各行业研发机构/科技企业提供核心技术并与之开展深度合作。

在各方坚持不懈的努力下，截至目前，团队已经开发了2～20μm覆盖的锑化物超晶格的红外单色焦平面和红外双色焦平面芯片，研制了1.8～3.8μm红外波段锑化物量子阱单模和大功率激光器，其中，大功率激光器单管、巴条、叠阵组件的室温连续输出功率获得持续突破分别达到了2.6W、18.4W、172W，单模激光器在60mW输出功率下边模抑制比达到57dB的国际最高水平。

在此基础上，团队还联合国内产学研用各方面力量，发起成立了锑化物半导体技术创新与产业发展联盟，通过联盟方式针对各方需求，为国内各装备行业及高科技企业开发多功能高性能光电芯片，推动长期受限于国外技术封锁的红外高端光电芯片的自主可控全链条技术进步，实现部分性能的超越领跑和满足各类需求的全链条解决方案。

在国家自然科学基金重大项目“锑化物低维结构中红外激光器基础理论与关键技术”等项目资助下，牛智川团队取得了“锑化物红外量子阱激光器”技术成果。成果在锑化物量子阱激光器能带结构设计、外延材料技术方面创新性显著，激光器的综合性能达到国际先进水平，其中器件光电效率和室温输出功率处于国际领先水平，特别是关键的输出功率性能已经超越了国外禁运指标，成功突破“卡脖子”难题！

“从零起步，到推动整个锑化物半导体红外光电产业链发展，我们走了十余年。这中间有很多人不理解，也有很多人离开，但我觉得要做真正的科学应用，必须‘十年磨一剑’，因为热点永远也追不完，只有踏踏实实干一件事才有可能成功。”牛智川说。

“我们的目标是实现锑化物半导体的广泛应用”

进入21世纪以来，国际科学技术日新月异。随着互联网的飞速发展，大数据、云计算、人工智能、区块链等一系列高科技名词更是让人眼花缭乱。“材料领域也是一样，如果我们今天觉得纳米材料好，明天觉得二维材料好，到最后永远也追不完，每个领域都是浅尝辄止，即使有了重大发现也来不及应用。”身在半导体领域，牛智川对此一直有着清醒的认识，“我们这个学科不像天文地理可以纯粹进行探索性研究，它是基础理论到最终应用的结合，所有的研究都有一定的目标驱动。”

牛智川说，回顾人类科技文明发展史会发现，最初的发明创造都是由更好生存的目的驱使。在此物质基础上，人们才有了探索自然的时间和欲望。诚然，科技发展到如今，一个国家总要有一些仰望星空的人才有希望，但也需要更多的人脚踏实地，解决实际问题才能屹立不倒，这也是牛智川团队对自己的定位。“我们的研究一定要与国家、经济目标以及人类生存需要相结合。”牛智川说道。

国家重点研发计划量子专项、国家自然科学基金重大项目、国家重大科学研究计划纳米专项……这些年来，以国家需求为目标，牛智川团队承担的国家重点任务越来越多，但立足点始终只有一个——锑化物半导体。

锑化物半导体技术发展物理内涵丰富，既有经典光电效应，又有前沿拓扑量子效应，研究方向包括高性能红外激光器、高灵敏多波段探测器、超高速微电子集成电路、热电制冷器件等，应用前景广阔。

“当前，半导体技术的代际更替已经进入了微电子与光电子技术的并重发展时代，锑化物窄带隙半导体呈现出第四代半导体光电芯片技术发展的重大潜力。”2023年7月，国家商务部明确将锑化镓（各种形态）材料均列入对外实施出口管制清单，充分证实了该锑化物材料体系在国家核心技术竞争中的重大战略价值。牛智川说，他们未来的发展目标将以锑化物半导体光电材料与芯片为中心，面向智能化信息技术新时代广泛需求，建设完整的技术创新与产业制造链条，为国家强盛和社会发展贡献点滴之力。

来源：科学中国人 2023年9期创新之路

奔走在半导体领域的开拓者 ——中国科学院大学牛智川教授

2024-07-08 13:46:11 | 来源：中国网

在科研的路途中，固然山高水深，寒暑风雨，但只要初心如磐，奋楫笃行，终能让梦想照进现实。中国科学院半导体所研究员，博士生导师，中国科学院大学材料科学与光电技术学院量子光电子学首席教授牛智川，就是在这样的风雨兼程中，实现了半导体材料的突破。

锑化物材料的突破

半导体是一种材料，是现代科技不可或缺的技术。半导体技术发展一代材料体系、形成一代器件技术。本世纪初，锑化物半导体材料，即GaSb基晶格匹配异质结、量子阱、超晶格体系获得业界高度重视，其破隙型窄带隙能带构型和材料组分适于能带工程设计调控和先进的III－V族半导体工艺，为突破传统红外半导体长期瓶颈提供全新路径。

近年来GaSb单晶、衬底与外延材料技术的突破，极大地促进了中波红外激光器、中长波红外探测器的技术跨越，其应用价值得到确认，2009年起西方实施锑化物半导体出口管控。

“只有将科技掌握在自己的手中，才能真正的安心，放心。”近些年来，中国的科研工作者经历了太多这样的波折，所以，面对封锁，牛智川教授没有抱怨，更没有放弃，他知道，这是中国制造必然要走的一步。

锑化物材料属于多元素化合物体系，相比于其他材料，锑化物量子阱超晶格等低维材料的能带结构最为复杂，器件台面、腔面表面氧化性质悬殊，实现高光电效率激光发光和探测器的能带设计优化、外延材料质量调控、器件高稳定性的工艺结构优化方法、高可靠性大功率输出热场等综合表征与优化等，都是该器件技术的核心科学难题。

作为长期从事半导体低维材料物理与量子光电子器件技术研究的探索者，牛智川教授率先在我国开拓锑化物半导体外延材料与红外光电器件技术方向。他带领团队针对锑化物多元复杂材料能带设计及外延生长技术的挑战难题，聚焦中波红外量子阱激光器波长拓展效率提升、长波红外超晶格探测器暗电流抑制效率优化等关键科学问题和应用发展需求，历经20年攻关，成绩斐然。

他，不仅发明GaSb基二元AlSb／AlAs／AlSb／GaSb超晶格数字合金，克服锑化物四元、五元合金组分精确控制和组分互溶，提升光学质量和发光效率；发明As／Sb、Ga／In双交叉外延技术，提升超晶格质量和载流子寿命；创新外延技术，解决应力平衡、缺陷界面调控、表面颗粒抑制难题；锑化物量子阱材料用于2－4微米中波红外激光器，激光单管／巴条／模组的室温连续功率分别达到2.6瓦／18.4瓦／172瓦的国际最高记录（超越禁运指标），超晶格材料用于中长波红外探测器，实现了单色、双色焦平面探测器，国际首次报道＞14微米甚长波焦平面成像芯片。

这些成果标志着中国的单晶、衬底与外延材料及器件技术成功突破封锁，2023年7月，我国发布锑化物材料管制法规，自此，国内的锑化物半导体技术实现了跨越式的升级。

乘风破浪的探索

从零开始，一路披荆斩棘，屡获突破，到现在，整个锑化物半导体红外光电产业链逐渐完善和发展，牛智川教授依靠的就是开拓创新，砥砺前行。

众所周知，科研是永无止境的，半导体领域的探索更是如此，InAs／GaAs量子点量子光源、InGaAsSb量子阱大功率与单模激光器的问世，就是牛智川教授持续深耕探索的见证。

InAs／GaAs基量子点量子光源。面向量子光源核心器件基础研究前沿和量子信息系统重要需求，围绕半导体量子点生长密度和均匀性控制技术挑战，研究发展亚单层InAs循环、束流梯度分布外延新技术，揭示液滴法生长量子环机理，突破量子点相干发光效率、单光子发光速率和全同性瓶颈，实现三项全优性能单光子源，实现量子点单光子量子态存储（Nat.Comm），发展量子点拓扑角态激光（Light），为构建全固态量子网络提供半导体量子光源器件解决方案。

InGaAs（Sb）量子阱激光器。面向中短波红外激光重大需求，围绕量子阱应变临界束缚、拓展波长、提升功效难度难题，发明锑化物数字合金势垒结构，研制成功1.9－3.6微米高功率和单模激光器，其中2.0微米激光器的室温连续功率国际领先突破卡脖子（禁运）条例，发光效率和单模性能超越国际同行。

花会沿路盛开，牛智川教授的科研之路也会如此。一个有坚定信念的探索者，总是能够从容的面对荆棘，能以智慧扛起身负的责任和使命。作为中国的半导体人，牛智川教授始终对中国的半导体充满了期待，他认为，中国的半导体处于黄金发展时期，但任何产业的发展都不会一蹴而就，半导体的探索是一场接力赛，“只要有更多的人投入到半导体领域，中国的半导体技术，才会不断突破，产业才会实现可持续发展。”他这样说，也在这样做。

作为博士生导师，牛智川教授十分关注学生的成长，毕竟，知识需要传承，科技需要接力，所以，他对学生的学业和科研要求严格，同时，对于学生遇到的问题，也给予指导和引导。目前，他已培养百余位硕士博士学位高级科技人才，这些人才走向了各自的工作岗位，继续助力中国半导体事业的发展。

而牛智川教授本人，则继续以国家需求为目标，通过承担国家重点任务立足锑化物半导体领域，在基础研究成果之上，联合国内产学研用各方面力量，发起成立锑化物半导体技术创新与产业发展联盟，通过联盟方式针对各方需求，为国内各装备行业及高科技企业开发多功能高性能光电芯片，推动长期受限于国外技术封锁的红外高端光电芯片的自主可控全链条技术进步，实现从部分性能的超越领跑和满足各类需求的全链条解决方案。

当前，半导体技术的代际更替已经进入了微电子与光电子技术的并重发展时代，锑化物窄带隙半导体呈现出第四代半导体光电芯片技术发展的重大潜力。

未来，牛智川教授将以锑化物半导体光电材料与芯片为中心，面向智能化信息技术新时代广泛需求，建设完整的技术创新与产业制造链条，并以这样的方式，提升中国半导体的整体竞争和研发能力。

在这个喧嚣的时代里，牛智川教授始终踏踏实实，创新探索。不被繁华迷惑，不被名利捆绑，心里，眼里，始终是中国的半导体，或许，正是这份坚定，这份执着，让他在这个领域硕果累累。这就是牛智川，这就是中国的半导体人。

个人简介

牛智川，中国科学院半导体所二级研究员，博导，中国科学院大学材料科学与光电技术学院量子光电子学首席教授。入选中科院“BR计划”，“国家杰出青年科学基金”、“新世纪百千万人才工程国家级人选（首批）”、“国务院政府特殊津贴”等。先后主持了国家863计划，国家973重大科学研究计划，国家重点基础研发计划等项目，在国际顶尖学术期刊发表了400多篇论文，曾获得北京市自然科学二等奖，中国电子学会自然科学一等奖，湖北省科技进步一等奖等。

近年来积极推动引领新型锑化物半导体材料与器件成果转化，推动了相关制造与装备技术进步。

原文链接：http://guoqing.china.com.cn/2024-07/08/content_117297231.htm

牛智川 中国科学院半导体研究所研究员

牛智川中国科学院半导体研究所研究员