大尺寸高性能中红外晶体研制
日期:2015-08-20 09:44
状态:待解决
提问:kjcxac
展提供关键材料支撑。
1.核心设备的突破
中红外晶体合成与生长气压高、组分偏析严重、各向异性大、极易开裂与产生孪晶,对制备设备要求很高,目前国内外无商用的红外晶体制备专用设备。
根据中红外晶体合成与生长特性,自行设计热场,研制出具有知识产权的多段高精密控制中红外晶体合成炉(图1)、垂直和水平两类单晶生长炉(图2)以及器件退火炉等系列关键设备,成功实现中红外晶体核心制备设备的国产化,该系列设备具有控温精度高、温场调节方便、热场稳定性好、自动化程度高等特点,适合用于工程化推广。
2.关键工艺的突破


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07/12 15:12